[发明专利]一种低温一次性烧结晶界层陶瓷基板的制备方法

摘要

本发明公开了一种低温一次性烧结晶界层陶瓷基板的制备方法，其具体制作步骤如下：配料球磨、流延成型、排胶、烧结、表面处理工艺。通过上述步骤得到了晶界层陶瓷基板具有以下的优点：一是，只需一次烧结，烧结温度很低，能耗小；二是，采用先进的流延成型、叠片工艺，可制备厚度小至0.1mm，尺寸大于30mm×30mm的薄基板，可供制备单层片式瓷介电容器；三是，采用一次烧结方法，制备的陶瓷基片材料介电常数大，介电损耗很小，且材料的一致性较好。

主权项

一种低温一次性烧结晶界层陶瓷基板的制备方法，其特征在于，其具体制作步骤如下：(1)配料球磨：将钛酸锶、半导化稀土氧化物、助烧剂分别研磨过1250‑2500目的网筛后，与去离子水按混合均匀后进行滚动球磨，球磨时间20‑50h，得粗磨料；(2)流延成型：在粗磨料中加入有机粘接剂、分散剂和消泡剂，再次球磨10‑20h得到流延料，采用流延方式得到流延干膜片，所述流延干膜片的厚度0.1‑0.2mm，再将流延干膜片剪切成所需的尺寸后进行叠片；(3)排胶：在空气气氛炉中，对叠好的流延干膜片进行排胶，排胶最高温度500‑800℃，升温速率小于1℃/min，总的排胶时间20‑80h；(4)烧结：将排胶完的膜片移到还原气氛烧结炉中烧结成薄陶瓷基板，烧结温度1000‑1300℃，保温时间1‑5h，升温速率小于2℃/min；(5)表面处理工艺：对烧结得到的薄陶瓷基板进行双面精密抛光，得到所需厚度的陶瓷基片，打磨后的基片表面平整度小于3μm。