[发明专利]固体摄像器件、电子装置以及该固体摄像器件的制造方法在审
申请号: | 201410389260.2 | 申请日: | 2010-05-04 |
公开(公告)号: | CN104241307A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | 水田恭平;糸长总一郎 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李晗;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种固体摄像器件、其制造方法以及电子装置。该固体摄像器件包括:半导体基板,具有多个光电二极管以及第一、第二和第三布线部;第一和第二布线部之间的边界;在半导体基板上的第一布线层;以及在第一布线层上的第二布线层,在第二布线层上的第三布线层,其中,在边界附近,第一布线部的第一高度不同于第二布线部的第二高度,第二布线层包括靠近第三布线层并包括遮光膜的上层和靠近第一布线层并包括遮光膜的下层,下层中的遮光膜比上层中的遮光膜更靠近第一和第二布线部之间的边界。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 电子 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种固体摄像器件,其包括:半导体基板,其上具有多个光电二极管,该半导体基板包括第一布线部、第二布线部和第三布线部;所述第一布线部和所述第二布线部之间的边界;在所述半导体基板上的第一布线层,该第一布线层包括多个金属膜并延伸穿过所述第一布线部、所述第二布线部和所述第三布线部;以及在所述第一布线层上的第二布线层,该第二布线层延伸穿过所述第一布线部和所述第二布线部,在所述第二布线层上的第三布线层,该第三布线层延伸穿过所述第一布线部,并包括多个金属膜,其中,在所述边界附近的所述第一布线部的第一高度不同于在所述边界附近的所述第二布线部的第二高度,并且其中,所述第二布线层包括更靠近所述第三布线层并包括遮光膜的上层和更靠近所述第一布线层并包括遮光膜的下层,所述下层中的所述遮光膜比所述上层中的所述遮光膜更靠近所述第一布线部和所述第二布线部之间的边界。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410389260.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电子装置及其制作方法
- 下一篇:氧化物半导体TFT基板的制作方法及结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的