[发明专利]固体摄像器件、电子装置以及该固体摄像器件的制造方法在审
| 申请号: | 201410389260.2 | 申请日: | 2010-05-04 |
| 公开(公告)号: | CN104241307A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
| 发明(设计)人: | 水田恭平;糸长总一郎 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李晗;曹正建 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固体 摄像 器件 电子 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种固体摄像器件,其包括:
半导体基板,其上具有多个光电二极管,该半导体基板包括第一布线部、第二布线部和第三布线部;
所述第一布线部和所述第二布线部之间的边界;
在所述半导体基板上的第一布线层,该第一布线层包括多个金属膜并延伸穿过所述第一布线部、所述第二布线部和所述第三布线部;以及
在所述第一布线层上的第二布线层,该第二布线层延伸穿过所述第一布线部和所述第二布线部,
在所述第二布线层上的第三布线层,该第三布线层延伸穿过所述第一布线部,并包括多个金属膜,
其中,在所述边界附近的所述第一布线部的第一高度不同于在所述边界附近的所述第二布线部的第二高度,并且
其中,所述第二布线层包括更靠近所述第三布线层并包括遮光膜的上层和更靠近所述第一布线层并包括遮光膜的下层,所述下层中的所述遮光膜比所述上层中的所述遮光膜更靠近所述第一布线部和所述第二布线部之间的边界。
2.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述第一布线层、所述第二布线层和所述第三布线层中的每者包括绝缘层。
3.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述第一布线层的表面到所述第二布线层的表面的距离在100nm到1000nm之间。
4.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述第一布线层和所述第二布线层中的至少一个布线层包括覆盖膜。
5.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述第一布线部是周边电路区域,所述第二布线部是光学黑区域,所述第三布线部是像素区域。
6.如权利要求1所述的固体摄像器件,其在所述第三布线部上方还包括位于所述金属膜之间的多个凹部。
7.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述第一布线层直接位于所述基板上。
8.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,
所述第二布线层直接位于所述第一布线层上,
所述第三布线层直接位于所述第二布线层上。
9.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述第一布线层、所述第二布线层和所述第三布线层中的每者由覆盖层和绝缘层隔开。
10.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述第一布线层中的所述金属膜不位于所述半导体基板的所述光电二极管上方。
11.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述第一布线层、所述第二布线层和所述第三布线层的膜厚度从所述第三布线层向所述第一布线层依次减小。
12.如权利要求11所述的固体摄像器件,其中,所述第二布线层和所述第一布线层之间的膜厚度差在所述第一布线部和所述第二布线部之间的边界附近形成第一高度差部分。
13.如权利要求11所述的固体摄像器件,其中,所述第三布线层和所述第二布线层之间的膜厚度差在所述第二布线部和所述第三布线部之间的边界附近形成第二高度差部分。
14.如权利要求13所述的固体摄像器件,其中,所述第二高度差部分为锥形。
15.如权利要求6所述的固体摄像器件,其中,光波导层形成于所述凹部上。
16.一种固体摄像器件的制造方法,其包括以下步骤:
在具有第一布线部、第二布线部和第三布线部的半导体基板的所述第三布线部中形成多个光电二极管,并且在所述第一布线部和所述第二布线部之间具有边界;
在所述半导体基板上形成第一布线层,该第一布线层包括多个金属膜并延伸穿过所述第一布线部、所述第二布线部和所述第三布线部;以及
在所述第一布线层上形成第二布线层,该第二布线层延伸穿过所述第一布线部和所述第二布线部,
在所述第一布线层上形成第三布线层,该第三布线层延伸穿过所述第一布线部并包括多个金属膜,
其中,在所述边界附近形成的所述第一布线部的第一高度不同于在所述边界附近形成的所述第二布线部的第二高度,并且
其中,所述第二布线层包括靠近所述第三布线层并包括遮光膜的上层和靠近所述第一布线层并包括遮光膜的下层,所述下层中的所述遮光膜比所述上层中的所述遮光膜更靠近所述第一布线部和所述第二布线部之间的边界。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





