[发明专利]一种太阳能级单晶硅中载流子浓度的测量方法有效
| 申请号： | 201410388836.3 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN104142464B | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 余学功;陈鹏;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01N27/04;G01N21/3563 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能级单晶硅中载流子浓度的测量方法，包括以下步骤(1)分别选取一系列p型和n型的电子级单晶硅作为标准样品，室温下并分别测量其电阻率和红外吸收系数，并根据其电阻率换算成对应的载流子浓度；(2)根据步骤(1)的测量结果，分别建立p型和n型单晶硅的αλ/λ2与ρp2的标准曲线，其中αλ为波长为λ下所述标准样品的红外吸收系数，p与ρ分别为对应的载流子浓度和电阻率；(3)测定太阳能级单晶硅待测样品的导电类型，并在室温下分别测量其电阻率和红外吸收系数，根据步骤(2)中对应的标准曲线得出载流子浓度。本方法简便快捷、精确度高、测试成本低，尤其适用于基体内存在补偿效应的太阳能级单晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳 能级 单晶硅 载流子 浓度 测量方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能级单晶硅中载流子浓度的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)分别选取一系列p型和n型的电子级单晶硅作为标准样品，经过机械抛光或化学抛光，使两表面呈镜面；另外还需经过清洗工艺，以除去样品表面沾污，保证样品无污染，在室温下分别测量其电阻率和红外吸收系数，并根据其电阻率换算成对应的载流子浓度；(2)根据步骤(1)的测量结果，分别建立p型和n型单晶硅的αλ/λ2与ρp2的标准曲线，其中：αλ为波长为λ下所述标准样品的红外吸收系数，p与ρ分别为对应的载流子浓度和电阻率；(3)测定太阳能级单晶硅待测样品的导电类型，并在室温下分别测量其电阻率和红外吸收系数，根据步骤(2)中对应的标准曲线得出载流子浓度。
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