[发明专利]一种太阳能级单晶硅中载流子浓度的测量方法

权利要求书

1.一种太阳能级单晶硅中载流子浓度的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)分别选取一系列p型和n型的电子级单晶硅作为标准样品，经过机械抛光或化学抛光，使两表面呈镜面；另外还需经过清洗工艺，以除去样品表面沾污，保证样品无污染，在室温下分别测量其电阻率和红外吸收系数，并根据其电阻率换算成对应的载流子浓度；

(2)根据步骤(1)的测量结果，分别建立p型和n型单晶硅的α_λ/λ²与ρp²的标准曲线，其中：α_λ为波长为λ下所述标准样品的红外吸收系数，p与ρ分别为对应的载流子浓度和电阻率；

(3)测定太阳能级单晶硅待测样品的导电类型，并在室温下分别测量其电阻率和红外吸收系数，根据步骤(2)中对应的标准曲线得出载流子浓度。

2.如权利要求1所述的太阳能级单晶硅中载流子浓度的测量方法，其特征在于，所述标准样品的电阻率为0.05-50Ω·cm，标准样品的电阻率均匀分布在每个电阻率量级范围内。

3.如权利要求1所述的太阳能级单晶硅中载流子浓度的测量方法，其特征在于，所述标准样品的厚度均匀一致，为1-2mm。

4.如权利要求1所述的太阳能级单晶硅中载流子浓度的测量方法，其特征在于，所述电阻率与红外吸收系数的测量温度为295-300K。

5.如权利要求1所述的太阳能级单晶硅中载流子浓度的测量方法，其特征在于，所述红外吸收系数对应的红外光波数为4000-400cm^-1。

6.如权利要求1所述的太阳能级单晶硅中载流子浓度的测量方法，其特征在于，测量样品红外吸收系数的红外光谱仪的测试分辨率为1-4cm^-1。

7.如权利要求1～6任一权利要求所述的太阳能级单晶硅中载流子浓度的测量方法，其特征在于，根据步骤(1)的测量结果，分别建立p型和n型单晶硅的(α_λ1-α_λ2)/(λ₁²-λ₂²)与ρp²的标准曲线，其中：α_λ1与α_λ2分别为波长λ₁、λ₂下所述标准样品的红外吸收系数。