[发明专利]具有沟槽隔离区的边缘终止结构有效
| 申请号： | 201410385790.X | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN104347475B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | A.布赖梅泽尔;E.格里布尔;O.赫伯伦;A.莫泽尔;H-J.舒尔策;S.福斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 申屠伟进,胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有沟槽隔离区的边缘终止结构。一种半导体器件包含半导体基体和边缘终止结构。该边缘终止结构包括第一氧化层、第二氧化层、在该第一氧化层和该第二氧化层之间的半导体台面区以及包括在该半导体台面区中的第一片段以及在该半导体台面区以下的区中的第二片段的掺杂场区。该第二片段在该半导体台面区以下的区中与该第一和第二氧化层重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 隔离 边缘 终止 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括半导体基体和边缘终止结构，其中所述边缘终止结构包括：第一氧化层；第二氧化层；半导体台面区，在所述第一氧化层和所述第二氧化层之间；以及掺杂场区，包括在所述半导体台面区中的第一片段以及在所述半导体台面区以下的区中的第二片段；以及其中所述第二片段在所述半导体台面区以下的区中与第一和所述第二氧化层重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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