[发明专利]具有沟槽隔离区的边缘终止结构

权利要求书

1.一种半导体器件，包括半导体基体和边缘终止结构，其中所述边缘终止结构包括：

第一氧化层；

第二氧化层；

半导体台面区，在所述第一氧化层和所述第二氧化层之间；以及

掺杂场区，包括在所述半导体台面区中的第一片段以及在所述半导体台面区以下的区中的第二片段；以及

其中所述第二片段在所述半导体台面区以下的区中与第一和所述第二氧化层重叠。

2.权利要求1的所述半导体器件，其中所述半导体台面区具有至少3μm的第一宽度。

3.权利要求2的所述半导体器件，

其中所述场区的所述第二片段具有最大第二宽度，以及

其中所述最大第二宽度和所述第一宽度之间的差别是在0.2μm和10μm之间。

4.权利要求3的所述半导体器件，其中所述第二片段具有在所述第二片段与第一和第二氧化层的界面处的所述最大第二宽度。

5.权利要求3的所述半导体器件，其中，在所述半导体基体的垂直方向上，所述第二片段的宽度随着所述第二片段到所述第一氧化层和所述第二氧化层的距离增加而减少。

6.权利要求1的所述半导体器件，其中所述第一氧化层和所述第二氧化层的上表面与所述台面区的顶表面实质是共面的。

7.权利要求1的所述半导体器件，其中所述第一氧化层和所述第二氧化层的深度是在150纳米和3μm之间。

8.权利要求1的所述半导体器件，其中所述场区的所述第二片段的深度是在5μm和10μm之间。

9.权利要求1的所述半导体器件，进一步包括：

绝缘层，被布置在第一和第二氧化层上方并且包括在所述半导体台面区上方的开口；以及

场电极，被布置在所述绝缘层上方并且在所述绝缘层的所述开口中被电连接到所述掺杂场区。

10.一种用于产生边缘终止结构的方法，包括：

在半导体基体的第一表面中形成第一沟槽；

在半导体基体的第一表面中形成第二沟槽，其中所述第二沟槽与所述第一沟槽间隔分开地被形成以致在所述第一沟槽与所述第二沟槽之间存在半导体台面区；

通过使在邻近所述第一沟槽的区中的半导体基体氧化，在所述第一沟槽中形成第一氧化层；

通过使在邻近所述第二沟槽的区中的半导体基体氧化，在所述第二沟槽中形成第二氧化层，其中形成所述第一氧化层和所述第二氧化层以致所述半导体台面区的至少一个片段在所述第一氧化层和所述第二氧化层之间保留；以及

引入掺杂剂原子到所述半导体台面区和在所述半导体台面区以下的区里面。

11.权利要求10的所述方法，进一步包括在形成所述第一氧化层和所述第二氧化层之后抛光在第一表面的所述半导体台面区中的所述半导体基体。

12.权利要求10的所述方法，其中形成所述第一氧化层和形成所述第二氧化层包括共同的氧化工艺。

13.权利要求10的所述方法，

其中在所述第一沟槽中形成所述第一氧化层以致所述第一氧化层实质填充所述第一沟槽但实质不延伸超过所述第一表面，以及

其中在所述第二沟槽中形成所述第二氧化层以致所述第二氧化层实质填充所述第二沟槽但实质不延伸超过所述第一表面。

14.权利要求10的所述方法，其中引入掺杂剂原子包括注入和扩散工艺中的至少一个。

15.权利要求10的所述方法，其中引入掺杂剂包括：

形成掩模层，所述掩模层具有在所述半导体台面区上方的开口；以及

引入所述掺杂剂原子经过在所述掩模层中的所述开口到所述半导体台面区里面。

16.权利要求10的所述方法，其中引入掺杂剂原子包括退火工艺。

17.权利要求10的所述方法，

其中所述半导体基体包括内部区，以及

其中形成所述第一沟槽与所述第二沟槽以致所述半导体台面区在所述半导体基体的水平平面中是环形的并且围绕所述内部区。

18.权利要求10的所述方法，进一步包括：

形成场电极，所述场电极被电连接到所述半导体台面区。

19.权利要求18的所述方法，其中形成所述场电极包括：

形成绝缘层，所述绝缘层包括在所述半导体台面区上方的开口；以及

在所述绝缘层的所述开口中和在所述绝缘层上形成所述场电极。