[发明专利]一种免测量多晶硅铸锭用籽晶熔化高度的方法及多晶硅铸锭炉在审
| 申请号： | 201410384074.X | 申请日： | 2014-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN104152993A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 陈红荣;胡动力;何亮;鄢俊琦 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种免测量多晶硅铸锭用籽晶熔化高度的方法，包括以下步骤：(1)在坩埚底部设置一层籽晶；(2)在籽晶表面铺设一层碎硅料形成隔热层,隔热层的导热率低于籽晶的导热率；(3)在隔热层表面装入硅原料，控制热场和工艺，使硅原料从上往下熔化，并监测坩埚底部的温度信号；温度信号为坩埚底部温度、坩埚底部温度变化率，或者坩埚底部温度变化率的变化率；(4)根据获取到的温度信号，可以判断籽晶熔化的高度；当温度信号出现突然上升的突变点时，表示已熔化至籽晶的高度，此时控制热场和工艺，进入长晶阶段。该方法解决了用石英棒测量籽晶熔化高度时导致测试不准确的问题，并且无需用石英棒进行连续测量，操作简便，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 多晶 铸锭 籽晶 熔化 高度 方法 | ||
【主权项】：
一种免测量多晶硅铸锭用籽晶熔化高度的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在坩埚底部设置一层籽晶；(2)在所述籽晶表面铺设一层碎硅料形成隔热层,所述隔热层的导热率低于所述籽晶的导热率；(3)在所述隔热层表面装入硅原料，控制热场和工艺，使所述硅原料从上往下熔化，并监测所述坩埚底部的温度信号；所述温度信号为所述坩埚底部温度、所述坩埚底部温度变化率，或者所述坩埚底部温度变化率的变化率；(4)根据获取到的所述温度信号，可以判断所述籽晶熔化的高度；当所述温度信号出现突然上升的突变点时，表示已熔化至所述籽晶的高度，此时控制热场和工艺，进入长晶阶段。
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