[发明专利]一种免测量多晶硅铸锭用籽晶熔化高度的方法及多晶硅铸锭炉在审
| 申请号： | 201410384074.X | 申请日： | 2014-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN104152993A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 陈红荣;胡动力;何亮;鄢俊琦 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 测量 多晶 铸锭 籽晶 熔化 高度 方法 | ||
1.一种免测量多晶硅铸锭用籽晶熔化高度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在坩埚底部设置一层籽晶；
(2)在所述籽晶表面铺设一层碎硅料形成隔热层,所述隔热层的导热率低于所述籽晶的导热率；
(3)在所述隔热层表面装入硅原料，控制热场和工艺，使所述硅原料从上往下熔化，并监测所述坩埚底部的温度信号；所述温度信号为所述坩埚底部温度、所述坩埚底部温度变化率，或者所述坩埚底部温度变化率的变化率；
(4)根据获取到的所述温度信号，可以判断所述籽晶熔化的高度；当所述温度信号出现突然上升的突变点时，表示已熔化至所述籽晶的高度，此时控制热场和工艺，进入长晶阶段。
2.根据权利要求1所述的免测量多晶硅铸锭用籽晶熔化高度的方法，其特征在于，步骤(1)中所述籽晶为单晶硅、硅粉、碳化硅、石英砂或原生多晶硅。
3.根据权利要求1所述的免测量多晶硅铸锭用籽晶熔化高度的方法，其特征在于，步骤(1)中在坩埚底部铺设一层厚度为0.5cm～3cm的单晶硅或原生多晶硅作为籽晶。
4.根据权利要求1所述的免测量多晶硅铸锭用籽晶熔化高度的方法，其特征在于，步骤(1)中在坩埚底部涂刷一层厚度为0.1cm～0.5cm的硅粉、碳化硅或石英砂作为籽晶。
5.根据权利要求1所述的免测量多晶硅铸锭用籽晶熔化高度的方法，其特征在于，步骤(2)中所述碎硅料为碎硅片、硅粉、碎的原生多晶硅或碎的回收多晶硅。
6.根据权利要求1所述的免测量多晶硅铸锭用籽晶熔化高度的方法，其特征在于，步骤(2)中所述隔热层的厚度为0.2cm～3cm。
7.根据权利要求1所述的免测量多晶硅铸锭用籽晶熔化高度的方法，其特征在于，步骤(3)中利用热电偶监测坩埚底部的温度信号。
8.根据权利要求1至7任一项所述的免测量多晶硅铸锭用籽晶熔化高度的方法，其特征在于，步骤(3)中利用软件采集所述温度信号。
9.根据权利要求8所述的免测量多晶硅铸锭用籽晶熔化高度的方法，其特征在于，步骤(4)中利用软件设置一个突变点值，当所述温度信号超过所述设置的突变点值时，利用PLC控制器将超过所述设置的突变点值的所述温度信号传递至报警器，所述报警器接收到超过所述设置的突变点值的所述温度信号时进行自动报警，提醒籽晶已熔化至设定的高度。
10.一种多晶硅铸锭炉，包括隔热笼、置于所述隔热笼内的热交换台、放置在所述热交换台上的坩埚，其特征在于，所述坩埚底部设有热电偶。
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