[发明专利]一种干法清洗多晶硅还原炉的方法

摘要

本发明提供了一种干法清洗多晶硅还原炉的方法，将多晶硅还原炉与等离子体发生器相连，使等离子体发生器产生的等离子体在设定的温度和压强条件下与多晶硅还原炉钟罩内壁沉积的硅薄膜反应，同时实时监测反应产物的成分变化，并通过吹扫抽离反应产生的气体产物，达到清洗多晶硅还原炉的目的。本发明提供的方法克服了现有技术的不足，大大简化了清洗工艺流程，实现全自动化操作，大幅降低了多晶硅还原工艺整体设备投入和建设周期与成本，同时能够完全避免废酸、废碱、废水和废气等的排放，起到节能和环保的作用。

主权项

一种干法清洗多晶硅还原炉的方法，其特征在于：将多晶硅还原炉(1)与等离子体发生器(2)相连，使等离子体发生器(2)产生的等离子体在设定的温度和压强条件下与多晶硅还原炉(1)钟罩内壁沉积的硅薄膜反应，同时监测反应产物的成分变化，并通过吹扫抽离反应产生的气体产物，达到清洗多晶硅还原炉的目的；具体包含如下步骤：步骤一：排出多晶硅还原炉(1)内的所有残余气体；步骤二：以气体氟化物作为清洗气体，使其在等离子体发生器(2)中形成等离子体；步骤三：使等离子体进入多晶硅还原炉(1)钟罩内，并与沉积在多晶硅还原炉(1)钟罩内壁上的硅薄膜发生化学反应，反应产生的气体产物中含有SiF3、SiF4；步骤四：采用气体成分监测设备(3)对SiF3的量进行监测，从而监测多晶硅还原炉(1)钟罩内壁沉积硅的反应状况；步骤五：当多晶硅还原炉钟罩内壁沉积的硅被反应完全后，即混合气体中SiF3的含量接近零值且趋于平稳，抽出多晶硅还原炉钟罩中的气体，然后通入N2对多晶硅还原炉钟罩进行吹扫，再次将多晶硅还原炉钟罩中的气体抽离，完成多晶硅还原炉钟罩的清洗。