[发明专利]一种干法清洗多晶硅还原炉的方法

权利要求书

1.一种干法清洗多晶硅还原炉的方法，其特征在于：将多晶硅还原炉(1)与等离子体发生器(2)相连，使等离子体发生器(2)产生的等离子体在设定的温度和压强条件下与多晶硅还原炉(1)钟罩内壁沉积的硅薄膜反应，同时监测反应产物的成分变化，并通过吹扫抽离反应产生的气体产物，达到清洗多晶硅还原炉的目的；具体包含如下步骤：

步骤一：排出多晶硅还原炉(1)内的所有残余气体；

步骤二：以气体氟化物作为清洗气体，使其在等离子体发生器(2)中形成等离子体；

步骤三：使等离子体进入多晶硅还原炉(1)钟罩内，并与沉积在多晶硅还原炉(1)钟罩内壁上的硅薄膜发生化学反应，反应产生的气体产物中含有SiF₃、SiF₄；

步骤四：采用气体成分监测设备(3)对SiF₃的量进行监测，从而监测多晶硅还原炉(1)钟罩内壁沉积硅的反应状况；

步骤五：当多晶硅还原炉钟罩内壁沉积的硅被反应完全后，即混合气体中SiF₃的含量接近零值且趋于平稳，抽出多晶硅还原炉钟罩中的气体，然后通入N₂对多晶硅还原炉钟罩进行吹扫，再次将多晶硅还原炉钟罩中的气体抽离，完成多晶硅还原炉钟罩的清洗。

2.如权利要求1所述的干法清洗多晶硅还原炉的方法，其特征在于：所述步骤二中气体氟化物包含NF₃、SF₆、CF₄、ClF₃中的一种或者几种。

3.如权利要求1所述的干法清洗多晶硅还原炉的方法，其特征在于：所述等离子发生器(2)的功率为80～150kW。

4.如权利要求1所述的干法清洗多晶硅还原炉的方法，其特征在于：所述步骤二中清洗气体的流量为80～130slm。

5.如权利要求1所述的干法清洗多晶硅还原炉的方法，其特征在于：所述步骤三中等离子体与硅薄膜反应的温度为400～700℃，所述等离子体与硅薄膜反应的压强为10～100Torr。

6.如权利要求1所述的干法清洗多晶硅还原炉的方法，其特征在于：所述多晶硅还原炉(1)钟罩内壁沉积的硅薄膜包括单晶硅、多晶硅和非晶硅薄膜中的一种或者几种任意组合。

7.如权利要求1所述的一种干法清洗多晶硅还原炉的方法，其特征在于：所述等离子体发生器(2)设于多晶硅还原炉(1)外，形成远程等离子体。