[发明专利]单光子雪崩二极管的淬灭和读出电路有效
| 申请号： | 201410381788.5 | 申请日： | 2014-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN104198058B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 伍冬;董丽霞;周军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01J11/00 | 分类号： | G01J11/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及单光子雪崩二极管的淬灭和读出电路，该电路有两种实现形式，均包括一个单光子雪崩二极管和三个NMOS管。其中，第一实施例的单光子雪崩二极管的淬灭和读出电路可以包括第一单光子雪崩二极管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，其中，第一单光子雪崩二极管的阴极接正高压偏置电源，第一单光子雪崩二极管的阳极接第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的漏极，第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极均与地相连，第二NMOS管的栅极接脉冲信号，第三NMOS管的源极与第一NMOS管的漏极相连，第三NMOS管的栅极接译码信号，第三NMOS管漏极与位线相连。本发明的淬灭和读出电路具有电路结构简单、有利于系统集成、淬灭电路响应速度快、检测精度高、灵活可调、稳定可靠等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 雪崩 二极管 读出 电路 | ||
【主权项】：
一种单光子雪崩二极管的淬灭和读出电路，其特征在于，包括：第一单光子雪崩二极管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，其中，所述第一单光子雪崩二极管的阴极接正高压偏置电源，所述第一单光子雪崩二极管的阳极接所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均与地相连，所述第二NMOS管的栅极接脉冲信号，所述第三NMOS管的源极与所述第一NMOS管的漏极相连，所述第三NMOS管的栅极接译码信号，所述第三NMOS管漏极与位线相连。
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