[发明专利]单光子雪崩二极管的淬灭和读出电路有效
| 申请号： | 201410381788.5 | 申请日： | 2014-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN104198058B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 伍冬;董丽霞;周军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01J11/00 | 分类号： | G01J11/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光子 雪崩 二极管 读出 电路 | ||
1.一种单光子雪崩二极管的淬灭和读出电路，其特征在于，包括：第一单光子雪崩二极管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，其中，
所述第一单光子雪崩二极管的阴极接正高压偏置电源，所述第一单光子雪崩二极管的阳极接所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均与地相连，所述第二NMOS管的栅极接脉冲信号，所述第三NMOS管的源极与所述第一NMOS管的漏极相连，所述第三NMOS管的栅极接译码信号，所述第三NMOS管漏极与位线相连。
2.根据权利要求1所述的单光子雪崩二极管的淬灭和读出电路，其特征在于，所述第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管的衬底均与地相连。
3.根据权利要求1所述的单光子雪崩二极管的淬灭和读出电路，其特征在于，所述脉冲信号为频率和占空比可调的窄脉冲信号。
4.一种单光子雪崩二极管的淬灭和读出电路，其特征在于，包括：第二单光子雪崩二极管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管，其中，
所述第二单光子雪崩二极管的阳极接负高压偏置电源，所述第二单光子雪崩二极管的阴极接所述第四NMOS管的栅极和所述第五NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的源极与地相连，所述第五NMOS管的源极与电源相连，所述第五NMOS管的栅极接脉冲信号，所述第六NMOS管的源极与所述第四NMOS管的漏极相连，所述第六NMOS管的栅极接译码信号，所述第六NMOS管的漏极与位线相连。
5.根据权利要求4所述的单光子雪崩二极管的淬灭和读出电路，其特征在于，所述第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管的衬底均与地相连。
6.根据权利要求4所述的单光子雪崩二极管的淬灭和读出电路，其特征在于，所述脉冲信号为频率和占空比可调的窄脉冲信号。
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