[发明专利]蚀刻方法有效
申请号: | 201410381581.8 | 申请日: | 2014-08-05 |
公开(公告)号: | CN104425654B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 陈炯 | 申请(专利权)人: | 上海晶玺电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所31283 | 代理人: | 薛琦 |
地址: | 200092 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种蚀刻方法,包括以下步骤步骤S1、提供一衬底,该衬底具有掺杂区域,该掺杂区域上覆盖有一金属层,该金属层包括具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分;步骤S2、采用蚀刻剂蚀刻该金属层,在蚀刻的同时对该金属层施加电流以使电流流经该第二部分直至该第二部分被完全蚀刻掉。本发明提供一种蚀刻程度精确可控的蚀刻方法,通过在蚀刻的同时施加电流,来调节不同部位的温度,由此来控制不同部位的蚀刻程度,最终形成理想的蚀刻效果。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 方法 | ||
【主权项】:
一种蚀刻方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1、提供一衬底,该衬底具有掺杂区域,该掺杂区域包括具有第一导电类型掺杂离子的第一掺杂区域和具有第二导电类型掺杂离子的第二掺杂区域,该衬底具有沟槽,该第一掺杂区域位于该衬底的上表面中,该第二掺杂区域位于该沟槽中;该衬底上覆盖有一金属层,该金属层包括具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分,该第一部分为覆盖于该第一掺杂区域和该第二掺杂区域上的金属层,该第二部分为位于该沟槽侧壁上的金属层,步骤S2、采用蚀刻剂蚀刻该金属层,在蚀刻的同时对该金属层施加电流以使电流流经该第二部分直至该第二部分被完全蚀刻掉,其中,该第一厚度大于该第二厚度,施加电流时,采用一第一探针作为正极施加在衬底的上表面,采用一第二探针作为负极施加到衬底的沟槽上;或者,采用一第一探针作为负极施加在衬底的上表面,采用一第二探针作为正极施加到衬底的沟槽上,该第一掺杂区域和该第二掺杂区域以及位于该第一掺杂区域和该第二掺杂区域之间的衬底形成PN结,该电流的流向和该PN结的导通方向相反。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海晶玺电子科技有限公司,未经上海晶玺电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410381581.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体发光组件
- 下一篇:隧道场效应晶体管及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的