[发明专利]蚀刻方法有效

专利信息
申请号: 201410381581.8 申请日: 2014-08-05
公开(公告)号: CN104425654B 公开(公告)日: 2017-08-25
发明(设计)人: 陈炯 申请(专利权)人: 上海晶玺电子科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068
代理公司: 上海弼兴律师事务所31283 代理人: 薛琦
地址: 200092 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种蚀刻方法,包括以下步骤步骤S1、提供一衬底,该衬底具有掺杂区域,该掺杂区域上覆盖有一金属层,该金属层包括具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分;步骤S2、采用蚀刻剂蚀刻该金属层,在蚀刻的同时对该金属层施加电流以使电流流经该第二部分直至该第二部分被完全蚀刻掉。本发明提供一种蚀刻程度精确可控的蚀刻方法,通过在蚀刻的同时施加电流,来调节不同部位的温度,由此来控制不同部位的蚀刻程度,最终形成理想的蚀刻效果。
搜索关键词: 蚀刻 方法
【主权项】:
一种蚀刻方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1、提供一衬底,该衬底具有掺杂区域,该掺杂区域包括具有第一导电类型掺杂离子的第一掺杂区域和具有第二导电类型掺杂离子的第二掺杂区域,该衬底具有沟槽,该第一掺杂区域位于该衬底的上表面中,该第二掺杂区域位于该沟槽中;该衬底上覆盖有一金属层,该金属层包括具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分,该第一部分为覆盖于该第一掺杂区域和该第二掺杂区域上的金属层,该第二部分为位于该沟槽侧壁上的金属层,步骤S2、采用蚀刻剂蚀刻该金属层,在蚀刻的同时对该金属层施加电流以使电流流经该第二部分直至该第二部分被完全蚀刻掉,其中,该第一厚度大于该第二厚度,施加电流时,采用一第一探针作为正极施加在衬底的上表面,采用一第二探针作为负极施加到衬底的沟槽上;或者,采用一第一探针作为负极施加在衬底的上表面,采用一第二探针作为正极施加到衬底的沟槽上,该第一掺杂区域和该第二掺杂区域以及位于该第一掺杂区域和该第二掺杂区域之间的衬底形成PN结,该电流的流向和该PN结的导通方向相反。
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