[发明专利]蚀刻方法

权利要求书

1.一种蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S₁、提供一衬底，该衬底具有掺杂区域，该掺杂区域包括具有第一导电类型掺杂离子的第一掺杂区域和具有第二导电类型掺杂离子的第二掺杂区域，该衬底具有沟槽，该第一掺杂区域位于该衬底的上表面中，该第二掺杂区域位于该沟槽中；该衬底上覆盖有一金属层，该金属层包括具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分，该第一部分为覆盖于该第一掺杂区域和该第二掺杂区域上的金属层，该第二部分为位于该沟槽侧壁上的金属层，

步骤S₂、采用蚀刻剂蚀刻该金属层，在蚀刻的同时对该金属层施加电流以使电流流经该第二部分直至该第二部分被完全蚀刻掉，其中，该第一厚度大于该第二厚度，

施加电流时，采用一第一探针作为正极施加在衬底的上表面，采用一第二探针作为负极施加到衬底的沟槽上；或者，采用一第一探针作为负极施加在衬底的上表面，采用一第二探针作为正极施加到衬底的沟槽上，

该第一掺杂区域和该第二掺杂区域以及位于该第一掺杂区域和该第二掺杂区域之间的衬底形成PN结，该电流的流向和该PN结的导通方向相反。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于，步骤S₁中通过蒸镀或者溅射的方式形成该金属层以使该第二部分薄于该第一部分。