[发明专利]动态调节硅基波导光栅啁啾量的结构

摘要

一种动态调节硅基波导光栅啁啾量的结构，包括由下至上依次连接的衬底、限制层、波导层、上包层和电极层；所述的波导层采用脊型结构，由内脊中间的硅波导、两旁的硅锯齿与上包层缝隙相间形成啁啾波导光栅，在该啁啾波导光栅的两侧为重掺杂区域，重掺杂区域的边缘和啁啾波导光栅的边缘的间距沿啁啾波导光栅长度方向呈一定的函数关系。本发明通过注入电流使得重掺杂区域产生热量，利用不同位置处硅基啁啾波导光栅边缘与重掺杂区域边缘距离不同的特性，使得啁啾波导光栅加热不均匀，产生一个额外的温度梯度量，通过改变该温度梯度量的大小来改变啁啾波导光栅的总啁啾量，具有结构简单、调节方便以及与微电子集成电路工艺完全兼容等优势。

主权项

一种动态调节硅基波导光栅啁啾量的结构，其特征在于，包括由下至上依次连接的衬底(1)、限制层(2)、波导层(3)、上包层(4)和电极层(8)；所述的波导层(3)采用脊型结构，其中，内脊宽度、内脊高度和外脊高度均满足光单模传输条件，由内脊中间的硅波导、两旁的硅锯齿与上包层缝隙相间形成啁啾波导光栅(6)，在该啁啾波导光栅(6)的两侧为重掺杂区域(7)，重掺杂区域的边缘和啁啾波导光栅的边缘的间距沿啁啾波导光栅长度方向呈一定的函数关系；在所述的上包层(4)内设有通孔(5)，该通孔(5)的一端与所述的重掺杂区域(7)相连，另一端淀积电极形成电极层(8)，用以与外部电源的正极和负极相连。