[发明专利]动态调节硅基波导光栅啁啾量的结构

权利要求书

1.一种动态调节硅基波导光栅啁啾量的结构，其特征在于，包括由下至上依次连接的衬底(1)、限制层(2)、波导层(3)、上包层(4)和电极层(8)；

所述的波导层(3)采用脊型结构，其中，内脊宽度、内脊高度和外脊高度均满足光单模传输条件，由内脊中间的硅波导、两旁的硅锯齿与上包层缝隙相间形成啁啾波导光栅(6)，在该啁啾波导光栅(6)的两侧为重掺杂区域(7)，重掺杂区域的边缘和啁啾波导光栅的边缘的间距沿啁啾波导光栅长度方向呈一定的函数关系；

在所述的上包层(4)内设有通孔(5)，该通孔(5)的一端与所述的重掺杂区域(7)相连，另一端淀积电极形成电极层(8)，用以与外部电源的正极和负极相连。

2.根据权利要求1所述的动态调节硅基波导光栅啁啾量的结构，其特征在于，所述的衬底和波导层的材料为高折射率材料硅，限制层和上包层的材料为二氧化硅，通孔和电极层的材料为高导电性金属材料铝，所述的波导层的折射率分别高于所述的上包层(4)和限制层(2)的折射率。

3.根据权利要求1所述的动态调节硅基波导光栅啁啾量的结构，其特征在于，所述的通孔(5)的孔径小于所述的重掺杂区域(7)的宽度。

4.根据权利要求1所述的动态调节硅基波导光栅啁啾量的结构，其特征在于，所述的啁啾光栅的宽度或者周期会沿着啁啾光栅长度方向发生变化。

5.根据权利要求1所述的动态调节硅基波导光栅啁啾量的结构，其特征在于，所述的重掺杂区域掺杂浓度和重掺杂区域的宽度是一个恒定值，重掺杂浓度在10¹⁹～10²¹cm^-3之间，重掺杂区域的宽度在1μm～20μm之间。

6.根据权利要求1所述的动态调节硅基波导光栅啁啾量的结构，其特征在于，所述的重掺杂区域的边缘和啁啾波导光栅的边缘的间距沿啁啾波导光栅长度方向呈一定的函数关系，该函数关系是线性增加、线性减少、抛物线或高斯函数，其最小间距大于等于500nm。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的动态调节硅基波导光栅啁啾量的结构，其特征在于，所述的限制层(2)的厚度大于0.5μm，波导层(3)的厚度为30nm～2μm，上包层(4)的厚度为0.5～3μm，电极层(8)的厚度为100nm～5μm。