[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410380294.5 | 申请日： | 2014-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN105439075B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 郑超;刘炼;李卫刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置，所述制备方法包括步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有第一牺牲材料层；步骤S2：在所述第一牺牲材料层上形成第一震荡膜材料层，以覆盖所述第一牺牲材料层；步骤S3：在所述第一震荡膜材料层上形成第二震荡膜材料层，以覆盖所述第一震荡膜材料层；步骤S4：图案化所述第一震荡膜材料层和所述第二震荡膜材料层，以形成震荡膜叠层。本发明的优点在于：(1)降低了震荡膜(Membrane)由于应力产生的破裂现象，提高了良率。(2)使震荡膜(Membrane)结构稳定，提高了MEMS器件的寿命和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有第一牺牲材料层；步骤S2：在所述第一牺牲材料层上形成第一震荡膜材料层，以覆盖所述第一牺牲材料层；步骤S3：在所述第一震荡膜材料层上形成第二震荡膜材料层，以覆盖所述第一震荡膜材料层；步骤S4：图案化所述第一震荡膜材料层和所述第二震荡膜材料层，去除位于两端的部分所述第一震荡膜材料层和所述第二震荡膜材料层，以露出所述第一牺牲材料层，以形成震荡膜叠层；所述方法还包括：在所述震荡膜叠层中间部位上方和下方形成空腔，以部分的露出所述震荡膜叠层。
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