[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置

说明书

本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置，所述制备方法包括步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有第一牺牲材料层；步骤S2：在所述第一牺牲材料层上形成第一震荡膜材料层，以覆盖所述第一牺牲材料层；步骤S3：在所述第一震荡膜材料层上形成第二震荡膜材料层，以覆盖所述第一震荡膜材料层；步骤S4：图案化所述第一震荡膜材料层和所述第二震荡膜材料层，以形成震荡膜叠层。本发明的优点在于：(1)降低了震荡膜(Membrane)由于应力产生的破裂现象，提高了良率。(2)使震荡膜(Membrane)结构稳定，提高了MEMS器件的寿命和可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，在传感器(motion sensor)类产品的市场上，智能手机、集成CMOS和微机电系统(MEMS)器件日益成为最主流、最先进的技术，并且随着技术的更新，这类传动传感器产品的发展方向是规模更小的尺寸，高质量的电学性能和更低的损耗。

其中，MEMS传感器广泛应用于汽车电子：如TPMS、发动机机油压力传感器、汽车刹车系统空气压力传感器、汽车发动机进气歧管压力传感器(TMAP)、柴油机共轨压力传感器；消费电子：如胎压计、血压计、橱用秤、健康秤，洗衣机、洗碗机、电冰箱、微波炉、烤箱、吸尘器用压力传感器，空调压力传感器，洗衣机、饮水机、洗碗机、太阳能热水器用液位控制压力传感器；工业电子：如数字压力表、数字流量表、工业配料称重等。

在MEMS领域中，所述MEMS器件的工作原理是由震荡膜(Membrane)的运动产生电容的变化，利用电容变化量进行运算和工作的，但震荡膜的应力(Stress)面临一个很大的挑战，在MEMS器件(例如微型手机，MicroPhone)中震荡膜(Membrane)的应力(Stress)会影响器件(Device)的运动和电容变化量的感应，更严重时，由于形成开口露出所述震荡膜工艺(Release)产生的应力释放现象会破坏震荡膜(Membrane)的结构，致使震荡膜(Membrane)破裂，如图1h所示，导致器件失效。

因此，需要对目前所述MEMS器件的制备方法作进一步的改进，以便消除上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明为了克服目前存在问题，提供了一种MEMS器件的制备方法，包括：

步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有第一牺牲材料层；

步骤S2：在所述第一牺牲材料层上形成第一震荡膜材料层，以覆盖所述第一牺牲材料层；

步骤S3：在所述第一震荡膜材料层上形成第二震荡膜材料层，以覆盖所述第一震荡膜材料层；

步骤S4：图案化所述第一震荡膜材料层和所述第二震荡膜材料层，以形成震荡膜叠层。

可选地，所述第一震荡膜材料层和所述第二震荡膜材料层选用相同的材料。

可选地，所述第一震荡膜材料层和所述第二震荡膜材料层选用多晶硅。

可选地，所述步骤S4包括：

步骤S41：在所述第二震荡膜材料层上形成图案化的掩膜层；

步骤S42：以所述掩膜层为掩膜，蚀刻去除位于两端的部分所述第一震荡膜材料层和所述第二震荡膜材料层，以露出所述第一牺牲材料层，形成所述震荡膜叠层；

步骤S43：去除所述掩膜层。

可选地，在所述步骤S4之后，所述方法进一步包括：