[发明专利]MOSFET驱动器器件在审
| 申请号： | 201410378499.X | 申请日： | 2014-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN104348461A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | R·威斯;A·桑德斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司 |
| 主分类号： | H03K17/78 | 分类号： | H03K17/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据一个实施例，固态开关器件包括：高电压开关晶体管，该高电压开关晶体管包括源极、漏极和栅极并且适用于基于开关信号来切换高电压；以及开关驱动器电路，可操作地连接至高电压开关晶体管的，该开关驱动器电路包括低电压驱动器晶体管，该低电压驱动器晶体管包括源极、漏极和栅极，该号切换串联连接至高电压开关晶体管并且适用于将开关信号传送至高电压开关晶体管，其中高电压开关晶体源极在下地布置在低电压驱动器晶体管的漏极上方。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 驱动器 器件 | ||
【主权项】：
一种固态开关器件，包括：高电压开关晶体管，包括源极、漏极和栅极，并且适用于基于开关信号来切换高电压；以及开关驱动器电路，可操作地连接至所述高电压开关晶体管，所述开关驱动器电路包括低电压驱动器晶体管，所述低电压驱动器晶体管包括源极、漏极和栅极，所述低电压驱动器晶体管串联连接至所述高电压开关晶体管并且适用于将所述开关信号传送至所述高电压开关晶体管，其中所述高电压开关晶体管源极在下地布置在所述低电压驱动器晶体管的所述漏极之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌技术德累斯顿有限责任公司，未经英飞凌技术德累斯顿有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410378499.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于确定对象的生命体征的设备和方法
- 下一篇：牙科装置及使用牙科装置的方法
