[发明专利]MOSFET驱动器器件

权利要求书

1.一种固态开关器件，包括：

高电压开关晶体管，包括源极、漏极和栅极，并且适用于基于开关信号来切换高电压；以及

开关驱动器电路，可操作地连接至所述高电压开关晶体管，所述开关驱动器电路包括低电压驱动器晶体管，所述低电压驱动器晶体管包括源极、漏极和栅极，所述低电压驱动器晶体管串联连接至所述高电压开关晶体管并且适用于将所述开关信号传送至所述高电压开关晶体管，其中所述高电压开关晶体管源极在下地布置在所述低电压驱动器晶体管的所述漏极之上。

2.根据权利要求1所述的固态开关器件，进一步包括可操作地连接至所述低电压驱动器晶体管并且适用于提供所述开关信号的逻辑电路。

3.根据权利要求1所述的固态开关器件，其中所述高电压开关晶体管和所述低电压驱动器晶体管电连接为共源共栅电路。

4.根据权利要求1所述的固态开关器件，其中所述高电压开关晶体管为场效应耗尽模式晶体管。

5.根据权利要求1所述的固态开关器件，其中所述高电压开关晶体管选自由MOSFET、MISFET、IGFET、IGBT、JFET、HEMT、FINFET或纳米管器件组成的组。

6.根据权利要求1所述的固态开关器件，其中所述低电压驱动器晶体管为场效应增强模式晶体管。

7.根据权利要求1所述的固态开关器件，其中所述低电压驱动器晶体管选自由MOSFET、MISFET、IGFET、IGBT、JFET、HEMT、FINFET或纳米管器件组成的组。

8.根据权利要求1所述的固态开关器件，其中所述开关驱动器电路和所述高电压开关晶体管设置为堆叠。

9.根据权利要求1所述的固态开关器件，其中所述开关驱动器电路设置为单个半导体芯片封装。

10.根据权利要求1所述的固态开关器件，其中所述高电压开关晶体管包括以下材料或其合成物中的一个：Si、SiO、SiN、Ge、Ga、Al、GaAs、GaN、C、In、InP、SiC、HfO。

11.一种固态开关器件，包括：

高电压开关晶体管，包括源极，漏极和栅极，并且适用于基于开关信号来切换高电压；以及

集成逻辑开关驱动器电路，可操作地连接至所述高电压开关晶体管，所述集成逻辑开关驱动器电路包括适用于生成用于所述高电压开关晶体管的开关信号的逻辑电路、以及包括低电压驱动器晶体管的开关驱动器电路，所述低电压驱动器晶体管包括源极、漏极和栅极，所述低电压驱动器晶体管串联连接至所述高电压开关晶体管并且适用于将所述开关信号传送至所述高电压开关晶体管，其中所述高电压开关晶体管源极在下地布置在所述低电压驱动器晶体管的所述漏极之上。

12.根据权利要求11所述的固态开关器件，其中所述高电压开关晶体管和所述低电压驱动器晶体管电连接为共源共栅电路。

13.根据权利要求11所述的固态开关器件，其中所述高电压开关晶体管为场效应耗尽模式晶体管。

14.根据权利要求11所述的固态开关器件，其中所述高电压开关晶体管选自由MOSFET、MISFET、IGFET、IGBT、JFET、HEMT、FINFET或纳米管器件组成的组。

15.根据权利要求11所述的固态开关器件，其中所述低电压驱动器晶体管为场效应增强模式晶体管。

16.根据权利要求11所述的固态开关器件，其中所述低电压驱动器晶体管选自由MOSFET、MISFET、IGFET、IGBT、JFET、HEMT、FINFET或纳米管器件组成的组。

17.根据权利要求11所述的固态开关器件，其中所述集成逻辑开关驱动器电路和所述高电压开关晶体管设置为堆叠。

18.根据权利要求11所述的固态开关器件，其中所述集成逻辑开关驱动器电路设置为单个半导体芯片封装。