[发明专利]低能大流强材料辐照装置有效
| 申请号: | 201410378270.6 | 申请日: | 2014-08-04 |
| 公开(公告)号: | CN104157321B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
| 发明(设计)人: | 刘东平;倪维元;刘璐 | 申请(专利权)人: | 大连民族学院 |
| 主分类号: | G21K5/00 | 分类号: | G21K5/00 |
| 代理公司: | 大连一通专利代理事务所(普通合伙)21233 | 代理人: | 秦少林 |
| 地址: | 116600 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种低能大流强材料辐照装置,其技术方案的要点是它包括送气系统、气压监测装置2、等离子体产生系统、样品台13、激光加热系统6、测温系统9、真空抽气系统5、水冷循环系统4和供电系统。利用本发明对材料表面进行处理,可以有效地模拟核聚变堆的辐照环境进而研究辐照后材料的特性、结构以及功能的变化。 | ||
| 搜索关键词: | 低能 大流强 材料 辐照 装置 | ||
【主权项】:
一种低能大流强材料辐照装置,其特征在于:包括送气系统、气压监测装置(2)、等离子体产生系统、样品台(13)、激光加热系统(6)、测温系统(9)、真空抽气系统(5)、水冷循环系统(4)和供电系统;所述的送气系统是由气源(1)和数字DIP控制系统(3)组成;所述的等离子体产生系统包括法拉第水冷屏(14)、高纯石英桶(12)、RF外置天线(11)、聚四氟保护壳(10)、栅极抑制磁铁(15)和离子引出系统;高纯石英桶(12)为圆形空筒置于水平向,桶内沿桶壁设置有法拉第水冷屏(14);RF外置天线(11)环绕在高纯石英桶(12)的外壁,聚四氟保护壳(10)环绕在高纯石英桶(12)置于RF外置天线(11)外侧;栅极抑制磁铁(15)置于高纯石英桶(12)的左侧;高纯石英桶(12)的右侧连接离子引出系统;所述的栅极抑制磁铁(15)是由背栅极法兰、永久磁铁和法兰盖组成,背栅极法兰为圆盘形,径向沿圆周有十道凹槽,其中五道镶嵌永久磁铁,另外五道为冷却水道,永久磁铁和冷却水道沿径向由内到外间隔设置,背栅极法兰中心部设有进气孔和气压检测孔,法兰盖封盖在背栅极法兰上;冷却水道与所述的水冷循环系统(4)连接形成循环系统;所述送气系统的气源(1)与进气孔连接;所述的气压监测装置(2)与气压检测孔连接;所述的RF外置天线(11)为空心无氧铜管盘旋制作,与所述的水冷循环系统(4)连接形成循环系统;所述的离子引出系统为钼圆板制成,其上阵列式布满圆孔,所述的离子引出系统外接负偏压电源;所述的真空抽气系统(5)与所述的离子引出系统连接;所述的样品台(13)安装在真空抽气系统(5)内,且穿过离子引出系统的中心孔由高纯石英桶(12)的右侧伸入高纯石英桶(12)内;所述的激光加热系统(6)用于加热所述的样品台(13)上的样品,所述的测温系统用于实时监测样品台的温度;所述的气源(1)由所述的数字DIP控制系统(3)控制通过所述的栅极抑制磁铁(14)进入高纯石英桶(12)内;所述的气压监测装置(2)安装在栅极抑制磁铁(14)用于监测所述的等离子体产生系统的压力;所述的供电系统包括射频电源(7)和负偏压电源(8)。
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