[发明专利]一种多晶硅快速沉积的方法和装置

摘要

本发明是一种在化学气相沉积炉内快速沉积生长多晶硅的方法和装置。所述方法和装置是在化学气相沉积反应炉内，采用成组的硅芯（1）或硅板和横梁（2）连接形成片（板）状的倒U型装置，这种大表面积的装置既作为含硅气体沉积生产多晶硅的初始基体，又作为电发热体，使反应炉启动后可以迅速进入大电流、大混合气体流量和大固气接触面的状态，从而应炉内多晶硅快速沉积生长。

主权项

一种多晶硅快速沉积的方法和装置是：在密闭的化学气相沉积反应炉内，在一个石墨基座（3）上，竖直安置一组并行排列的硅芯（1）或一片硅板，通过较短的硅质横梁（2）连接另一个石墨基座（3）上的按相同方式安置的一组硅芯（1）或一片硅板，构成一个片（板）状的倒U形装置（图2）；石墨基座（3）放置在电极（4）上，电极（4）安装在反应炉的底盘上；这样的片（板）状倒U形装置（图2）安置在两个电极（4）上，此两个电极（4）互成电极（4）对，分别与电源连接。