[发明专利]一种多晶硅快速沉积的方法和装置

权利要求书

1.一种多晶硅快速沉积的方法和装置是：在密闭的化学气相沉积反应炉内，在一个石墨基座（3）上，竖直安置一组并行排列的硅芯（1）或一片硅板，通过较短的硅质横梁（2）连接另一个石墨基座（3）上的按相同方式安置的一组硅芯（1）或一片硅板，构成一个片（板）状的倒U形装置（图2）；石墨基座（3）放置在电极（4）上，电极（4）安装在反应炉的底盘上；这样的片（板）状倒U形装置（图2）安置在两个电极（4）上，此两个电极（4）互成电极（4）对，分别与电源连接。

2.其中，所述成组的硅芯（1）的特征是：采用3—13支Φ（5—10）mm的圆形硅芯（1)成一组，硅芯（1)下端是有一定锥度的小圆柱，硅芯（1)上端是有一小台阶的小圆柱(图3)；采用3—13支横截面为（5—10）×（5—10）mm的方形硅芯（1)为一组，硅芯（1)下端是有一定锥度的小圆柱，硅芯（1）上端是有一小台阶的小圆柱(图3)。

3.其中，所述硅板的特征是：横截面为厚（5—10）×宽（30—130）mm的长硅板，硅板下端有多个小圆柱，上端也有多个小圆柱(图4)；横截面为厚（5—10）×宽（30—130）mm的长硅板，硅板上下两端有一凸出的小台阶，小台阶两端是半圆柱形(图5)。

4.其中，所述连接硅芯（1)或者硅板的横梁（2）的特征是：横截面为厚（5—10）mm×宽（30—150）mm的短硅板，两端均开有一组小圆孔 (图6)； 横截面为厚（5—10）mm×宽（30—150）mm的短硅板，两端均开有一个两端为半圆柱形的条形槽孔(图7)。

5.其中，所述安置硅芯（1）的石墨基座（3）的特征是：下端开有与电极（4）同心的锥形圆洞，上端开有通过圆心、沿着直径方向对称分布的插入硅芯（1)的多个小圆锥孔或圆孔( 8)。

6.其中，所述安置硅板的石墨基座（3）的特征是：下端开有与电极（4）同心的锥形圆洞，上端开有通过圆心、沿着直径方向对称分布的嵌入硅板下端小圆柱的多个小圆锥孔或圆孔(图8)；下端开有与电极（4）同心的锥形圆洞，上端开有通过圆心、沿着直径方向对称分布的嵌入硅板的条形槽，条形槽的规格为宽（5—10）mm×长（30—130）mm×深度(图9)。

7.其中，所述硅芯（1)组与石墨基座（3）的连接方式的特征是：将一组硅芯（1)的下端竖直插入石墨基座（3）上端的小圆锥孔或圆孔中，固定。

8.其中，所述硅板与石墨基座（3）的连接方式的特征是：将硅板的下端竖直插入石墨基座（3）上端的小圆锥孔或圆孔中，固定；将硅板的下端竖直插入石墨基座（3）条形槽中，固定。

9.其中，所述硅芯（1)组与横梁（2）的连接方式的特征是：将一组竖直硅芯（1)上端台阶上的小圆柱体嵌入横梁（2）的一端的圆孔中，硅芯（1)头露出一定长度。

10.其中，所述硅板与横梁（2）的连接方式的特征是：将硅板上端的小圆柱嵌入横梁（2）一端的圆孔中并露出一定长度；将硅板上端的凸出台阶嵌入横梁（2）一端的条形槽孔中并露出一定长度。

11.其中，所述含硅气体的特征是：SiHCl₃,SiCl₄,SiH₂Cl₂,SiH₄气体。

12. 一种多晶硅快速沉积的方法和装置适用于各种反应压力和棒数的反应炉型 。