[发明专利]一种具有凸面栅极结构的B4‑Flash有效
| 申请号： | 201410375182.0 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104253160B | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 顾经纶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/11;H01L21/336;H01L27/11517 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及非易失性存储器，具体涉及一种具有凸面栅极结构的B4‑Flash，栅极结构自下而上依次为隧穿氧化层、电荷存储层、阻挡介质层和导电层；其中，隧穿氧化层为顶面两侧向中部隆起的凸面型结构；同时，所述电荷存储层为顶面两侧向中部隆起且底面自两侧向中部凹陷的拱桥型结构并完整覆盖于所述隧穿氧化层的上表面。本发明通过在B4‑Flash中采用凸面栅极结构，可以使电荷存储层到衬底的隧穿大于从门极注入电荷存储层的隧穿，从而可以抑制甚至消除擦除饱和的出现，提高擦除速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 凸面 栅极 结构 b4 flash | ||
【主权项】：
一种具有凸面型栅极结构的B4‑Flash，其特征在于，所述栅极结构设置于一有源区衬底之上，位于所述栅极结构底部两侧的有源区衬底中形成有源极掺杂区和漏极掺杂区，所述源极掺杂区和漏极掺杂区之间形成一沟道；所述栅极结构自下而上依次为隧穿氧化层、电荷存储层、阻挡介质层和导电层；其中，所述隧穿氧化层为顶面两侧向中部隆起的凸面型结构，且该隧穿氧化层的顶面为一平滑的凸状弧面；所述电荷存储层为顶面两侧向中部隆起且底面两侧向中部凹陷的拱桥型结构，所述电荷存储层的顶面和底面均为一平滑的弧面以完整覆盖于所述隧穿氧化层的上表面；所述存储介质层选用N型或P型掺杂的多晶硅或纳米晶。
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