[发明专利]一种失效分析样品的制备方法在审
| 申请号： | 201410375174.6 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104215482A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 白月 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种失效分析样品的制备方法，包括以下步骤：步骤S1、提供一待分析样品，所述待分析样品的一截面设置有集成电路，所述集成电路中设有一凹槽，且该集成电路除凹槽以外部分表面覆盖有一保护层；步骤S2、利用一填充材料将所述凹槽完全填充并将该凹槽所在截面完全覆盖；步骤S3、对所述待分析样品进行研磨，并对所述集成电路进行观测和分析。本发明以去除保护层时保证了良好的均匀性，样品的制备过程简单快速，且成本极低，该样品可以顺利地进行后续失效分析，同时提高了观测效率及准确率，为提高产品良率提供依据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 失效 分析 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种失效分析样品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供一待分析样品，所述待分析样品的一截面设置有集成电路，所述集成电路中设有一凹槽，且该集成电路除凹槽以外部分表面覆盖有一保护层；步骤S2、利用一填充材料将所述凹槽完全填充并将该凹槽所在截面完全覆盖；步骤S3、对所述待分析样品进行研磨，并对所述集成电路进行观测和分析。
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