[发明专利]附接至热辐射构件的半导体器件有效
申请号: | 201410373735.9 | 申请日: | 2014-07-31 |
公开(公告)号: | CN104347602B | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 藤田敏博 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/40;H01L23/367 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 朱胜;李春晖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体器件(10)包括:半导体模块(11至18)和将半导体模块按压至热辐射构件(7)的按压构件(26,27,28)。半导体模块包括:通过通电而发热的发热元件(56,57,61至66,71至73,161至164,171,172);三个或更多个传导构件(31至41,501至506,508,509,601至608,701,801至808,901至906),每个传导构件均安装有至少一个发热元件;以及成型部(20,21),使发热元件和传导构件一体成型。半导体模块具有借助于按压构件的施加压力等于或大于预定压力的热辐射可能区域。安装有设置在热辐射可能区域外部的发热元件的传导构件具有使得传导构件的至少一部分包括在热辐射可能区域中的形状。 | ||
搜索关键词: | 附接至 热辐射 构件 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件(10),包括:半导体模块(11至18),包括:通过通电而发热的多个发热元件(56,57,61至66,71至73,161至164,171,172);三个或更多个传导构件(31至41,501至506,508,509,601至608,701,801至808,901至906),每个传导构件均安装有至少一个所述发热元件;以及成型部(20,21),使所述发热元件和所述传导构件一体成型,以及按压构件(26,27,28),将所述半导体模块按压至热辐射构件(7),其中,所述半导体模块具有借助于所述按压构件的施加压力等于或大于预定压力的热辐射可能区域,所述传导构件中的至少一个传导构件包括其上安装有所述发热元件的基部和从所述基部的与所述按压构件相邻的端部突出的突出部,每个所述传导构件均包括所述突出部,所述突出部设置在借助于所述按压构件的施加压力较大的位置处,并且所述突出部的一部分被包括在所述热辐射可能区域中。
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