[发明专利]一种太阳能电池组件及其制造工艺在审
申请号: | 201410373700.5 | 申请日: | 2014-07-31 |
公开(公告)号: | CN104112780A | 公开(公告)日: | 2014-10-22 |
发明(设计)人: | 吉平;杨连丽;沈坚 | 申请(专利权)人: | 阿特斯(中国)投资有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬;张海英 |
地址: | 215011 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池组件及其制造工艺,其中太阳能电池组件包括依次层叠的透光上盖板、第一粘结剂层、太阳能电池片、第二粘结剂层和背板,所述透光上盖板的表面涂有减反射层,所述减反射层包括硅基氧化物和二氧化锆,所述二氧化锆与硅基氧化物的重量比为5∶4~7∶2,所述减反射层的厚度为100nm~150nm。与现有技术相比,本发明公开的太阳能电池组件采用硅基氧化物和二氧化锆的混合物作为减反射层,其利用稀有金属氧化物二氧化锆具有波长转换的特性,可以将紫外波段和红外波段的光转换为太阳能电池片能够充分利用的波长,从而增加可见光的透光率,进而提高电池转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 组件 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池组件,包括依次层叠的透光上盖板、第一粘结剂层、太阳能电池片、第二粘结剂层和背板,其特征在于:所述透光上盖板的表面涂有减反射层,所述减反射层包括硅基氧化物和二氧化锆,所述硅基氧化物与二氧化锆的重量比为5:4~7:2,所述减反射层的厚度为100nm~150nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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