[发明专利]基于嵌入式微柱的超高加速冲击传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410370448.2 申请日: 2014-07-30
公开(公告)号: CN104237559B 公开(公告)日: 2017-01-18
发明(设计)人: 李策 申请(专利权)人: 昆山泰莱宏成传感技术有限公司
主分类号: G01P15/12 分类号: G01P15/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明为一种基于嵌入式微柱的超高加速度冲击传感器及其制备方法,其包括基片、位于所述基片上表面的金属浆料、焊接于所述金属浆料上的芯片,所述芯片包括质量块以及嵌入在所述质量块底部的圆柱形敏感微柱,所述敏感微柱与所述质量块为一体的且具有压阻效应,自所述质量块的下表面向上凹陷形成有凹槽,所述敏感微柱自所述凹槽向下凸出所述质量块的下表面,所述敏感微柱的下表面坐落在所述金属浆料上。与现有技术相比,本发明基于嵌入式微柱的超高加速度冲击传感器将单晶硅加工成一体化的质量块和敏感微柱,用材料的体电阻代替传统的扩散电阻、用圆柱纵向受力代替悬臂型应变梁的横向受力,具有灵敏度高、谐振频率高、可靠性高的优点。
搜索关键词: 基于 嵌入 式微 超高 加速 冲击 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于嵌入式微柱的超高加速度冲击传感器,其包括基片、位于所述基片上表面的金属浆料、焊接于所述金属浆料上的芯片,其特征在于:所述芯片包括质量块以及嵌入在所述质量块底部的圆柱形敏感微柱,所述敏感微柱与所述质量块为一体的且具有压阻效应,自所述质量块的下表面向上凹陷形成有凹槽,所述敏感微柱自所述凹槽向下凸出所述质量块的下表面,所述敏感微柱的下表面坐落在所述金属浆料上。
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