[发明专利]基于嵌入式微柱的超高加速冲击传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于嵌入式微柱的超高加速度冲击传感器，其包括基片、位于所述基片上表面的金属浆料、焊接于所述金属浆料上的芯片，其特征在于：所述芯片包括质量块以及嵌入在所述质量块底部的圆柱形敏感微柱，所述敏感微柱与所述质量块为一体的且具有压阻效应，自所述质量块的下表面向上凹陷形成有凹槽，所述敏感微柱自所述凹槽向下凸出所述质量块的下表面，所述敏感微柱的下表面坐落在所述金属浆料上。

2.如权利要求1所述的基于嵌入式微柱的超高加速度冲击传感器，其特征在于：所述敏感微柱为偶数个，且包括第一组敏感微柱、第二组敏感微柱。

3.如权利要求2所述的基于嵌入式微柱的超高加速度冲击传感器，其特征在于：所述第一组敏感微柱和所述第二组敏感微柱通过串联或并联方式构成敏感电阻。

4.如权利要求1所述的基于嵌入式微柱的超高加速度冲击传感器，其特征在于：所述金属浆料包括第一区域金属浆料、第二区域金属浆料。

5.如权利要求4所述的基于嵌入式微柱的超高加速度冲击传感器，其特征在于：所述第一区域金属浆料和所述第二区域金属浆料上具有金属电极，所述金属电极端连接有引线。

6.如权利要求3所述的基于嵌入式微柱的超高加速度冲击传感器，其特征在于：所述第一组敏感微柱焊接在所述第一区域金属浆料上，所述第二组敏感微柱焊接在所述第二区域金属浆料上。

7.如权利要求1所述的基于嵌入式微柱的超高加速度冲击传感器，其特征在于：所述基于嵌入式微柱的超高加速度冲击传感器还具有用于固定连接传感器的金属连接件，所述基片焊接在所述金属连接件的上表面。

8.一种基于嵌入式微柱的超高加速度冲击传感器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)制备芯片

①在具有压阻效应的材料上进行双面浓硼扩散；

②在所述材料的一个表面溅射或蒸发一层金属薄膜；

③对金属薄膜进行光刻；

④在同一面上再溅射或蒸发一层铝薄膜；

⑤对铝薄膜进行光刻；

⑥以深槽刻蚀工艺对硅片进行腐蚀，形成质量块和嵌入在质量块内部的敏感微柱；

⑦去除铝薄膜，再次以深槽刻蚀工艺对硅片进行腐蚀，使敏感微柱表面高于其余部分表面。

2)制备基片

在所述基片上印刷金属浆料，印刷域分为两个相互绝缘的部分；

3)整合芯片和基片

以金属浆料将芯片与基片焊接为一个整体；

4)焊接引线

在基片上的金属浆料烧结成的金属电极上焊接引线。