[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410369570.8 | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104916688B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 河野洋志;野田隆夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种实现小型化和低成本化的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第1电极；第2电极；在上述第1电极和上述第2电极之间设置的第1导电型的第1半导体区域；在上述第1半导体区域和上述第2电极之间设置的第2导电型的第2半导体区域；在上述第2半导体区域和上述第2电极之间设置、与上述第1半导体区域相比杂质浓度更高的第1导电型的第3半导体区域；经由绝缘膜而与上述第3半导体区域、上述第2半导体区域以及上述第1半导体区域相接的第3电极；在上述第1半导体区域和上述第2电极之间设置的第2导电型的第4半导体区域；以及在上述第4半导体区域和上述第2电极之间设置、与上述第1半导体区域相比杂质浓度更高的第1导电型的第5半导体区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体区域，设置在上述第1电极和上述第2电极之间；第2导电型的第2半导体区域，设置在上述第1半导体区域和上述第2电极之间；第1导电型的第3半导体区域，设置在上述第2半导体区域和上述第2电极之间，与上述第2电极相接，杂质浓度高于上述第1半导体区域；第3电极，经由绝缘膜而与上述第3半导体区域、上述第2半导体区域以及上述第1半导体区域相接；第2导电型的第4半导体区域，设置在上述第1半导体区域和上述第2电极之间，与上述第2半导体区域邻接，具有第1部分和杂质浓度比上述第1部分高的第2部分；以及第1导电型的第5半导体区域，设置在上述第1部分和上述第2电极之间，与上述第2电极相接，杂质浓度高于上述第1半导体区域。
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