[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1电极；

第2电极；

第1导电型的第1半导体区域，设置在上述第1电极和上述第2电极之间；

第2导电型的第2半导体区域，设置在上述第1半导体区域和上述第2电极之间；

第1导电型的第3半导体区域，设置在上述第2半导体区域和上述第2电极之间，与上述第2电极相接，杂质浓度高于上述第1半导体区域；

第3电极，经由绝缘膜而与上述第3半导体区域、上述第2半导体区域以及上述第1半导体区域相接；

第2导电型的第4半导体区域，设置在上述第1半导体区域和上述第2电极之间，与上述第2半导体区域邻接，具有第1部分和杂质浓度比上述第1部分高的第2部分；以及

第1导电型的第5半导体区域，设置在上述第1部分和上述第2电极之间，与上述第2电极相接，杂质浓度高于上述第1半导体区域。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

上述第4半导体区域的上述第2部分夹持上述第1部分，与上述第1部分相比膜厚更厚。

3.一种半导体装置，具备：

第1电极；

第2电极；

第1导电型的第1半导体区域，设置在上述第1电极和上述第2电极之间；

第2导电型的第2半导体区域，设置在上述第1半导体区域和上述第2电极之间；

第1导电型的第3半导体区域，设置在上述第2半导体区域和上述第2电极之间，与上述第2电极相接，杂质浓度高于上述第1半导体区域；

第3电极，经由绝缘膜而与上述第3半导体区域、上述第2半导体区域以及上述第1半导体区域相接；

第2导电型的第4半导体区域，设置在上述第1半导体区域和上述第2电极之间，与上述第2半导体区域邻接，具有第1部分和膜厚比上述第1部分厚的第2部分；以及

第1导电型的第5半导体区域，设置在上述第1部分和上述第2电极之间，与上述第2电极相接，杂质浓度高于上述第1半导体区域。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，

在与从上述第1电极朝向上述第2电极的第1方向交叉的第2方向上，排列有上述第2半导体区域和上述第4半导体区域。

5.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，

在与从上述第1电极朝向上述第2电极的第1方向交叉的第2方向上，上述第4半导体区域的宽度比上述第2半导体区域的宽度窄。

6.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，

在与从上述第1电极朝向上述第2电极的第1方向交叉的第2方向上，上述第5半导体区域的宽度比上述第3半导体区域的宽度窄。

7.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，

在与从上述第1电极朝向上述第2电极的第1方向交叉的第2方向上，上述第4半导体区域的宽度比上述第2半导体区域的宽度宽。

8.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，

在与从上述第1电极朝向上述第2电极的第1方向交叉的第2方向上，上述第5半导体区域的宽度比上述第3半导体区域的宽度宽。

9.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，

上述第5半导体区域具有：

第3部分；以及

第4部分，夹持上述第3部分，杂质浓度与上述第3部分不同。

10.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，

上述第3电极在与从上述第1电极朝向上述第2电极的第1方向交叉的第2方向上延伸，

上述第3电极经由绝缘膜而与上述第5半导体区域、上述第4半导体区域以及上述第1半导体区域相接。

11.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，

该半导体装置还具备第2导电型的第6半导体区域，该第2导电型的第6半导体区域设置在上述第2半导体区域和上述第2电极之间，并与上述第3半导体区域相接，杂质浓度高于上述第2半导体区域。

12.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，

上述第3半导体区域的杂质浓度和上述第5半导体区域的杂质浓度不同。