[发明专利]半导体封装件及其制法有效
| 申请号： | 201410364624.1 | 申请日： | 2014-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105280598B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 江政嘉;林欣达;黄富堂;王愉博;王隆源;徐逐崎;施嘉凯 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件包括：第一半导体装置，其具有相对的第一顶面与第一底面；多个导通球，其形成于该第一顶面；第二半导体装置，其具有相对的第二顶面与第二底面，且该第二底面为面向该第一顶面；以及多个导电柱，其形成于该第二底面，并分别接合该些导通球以电性连接该第一及第二半导体装置，且该导电柱的高度小于300微米。藉此，本发明可易于控制该半导体封装件的高度，并用于具有更精细间距的导通球的半导体封装件上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装件，其包括：第一半导体装置，其具有相对的第一顶面与第一底面；多个导通球，其形成于该第一半导体装置的第一顶面；半导体元件，其设置于该第一半导体装置的第一顶面；第二半导体装置，其具有相对的第二顶面与第二底面，且该第二底面为面向该第一半导体装置的第一顶面；多个导电柱，其形成于该第二半导体装置的第二底面，并分别接合该些导通球以电性连接该第一半导体装置及该第二半导体装置，其中，该导电柱的高度小于300微米；保护层，其形成于该半导体元件与该第二半导体装置之间的间隙，并作为保护、散热或电性接地之用；以及多个支撑元件，其形成于该第一半导体装置与该第二半导体装置之间，并作为支撑、散热或电性接地之用，其中，该些支撑元件与分别接合的该些导通球及该些导电柱皆形成于该第一半导体装置与该第二半导体装置之间。
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