[发明专利]半导体封装件及其制法

权利要求书

1.一种半导体封装件，其包括：

第一半导体装置，其具有相对的第一顶面与第一底面；

多个导通球，其形成于该第一半导体装置的第一顶面；

半导体元件，其设置于该第一半导体装置的第一顶面；

第二半导体装置，其具有相对的第二顶面与第二底面，且该第二底面为面向该第一半导体装置的第一顶面；

多个导电柱，其形成于该第二半导体装置的第二底面，并分别接合该些导通球以电性连接该第一半导体装置及该第二半导体装置，其中，该导电柱的高度小于300微米；

保护层，其形成于该半导体元件与该第二半导体装置之间的间隙，并作为保护、散热或电性接地之用；以及

多个支撑元件，其形成于该第一半导体装置与该第二半导体装置之间，并作为支撑、散热或电性接地之用，其中，该些支撑元件与分别接合的该些导通球及该些导电柱皆形成于该第一半导体装置与该第二半导体装置之间。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征为，该第一半导体装置或该第二半导体装置为基板、中介板、半导体晶片或半导体封装结构。

3.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征为，该第一半导体装置或该第二半导体装置为半导体晶圆。

4.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征为，该导通球为单层球体、双层球体或三层球体，该双层球体具有内层的球体与包覆该内层的球体的外层，该三层球体具有内层的球体与依序包覆该内层的球体的中间层及外层。

5.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征为，该导通球具有至少一圆柱体与包覆该圆柱体的外层。

6.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征为，该导通球由不同比例的锡铅材料、锡银材料或锡银铜材料所构成。

7.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征为，该导电柱为圆柱体、椭圆柱体、多边形柱体或球形柱体。

8.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征为，该导电柱为圆柱体且其高度大于直径的二分之一。

9.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征为，该导电柱为椭圆柱体且其长轴长度大于短轴长度的1.1倍。

10.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征为，该半导体封装件还包括封装胶体，其形成于该第一半导体装置的第一顶面与该第二半导体装置的第二底面之间，以包覆该些导通球及该些导电柱。

11.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征为，该半导体元件嵌埋于封装胶体内。

12.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征为，该半导体封装件还包括至少一电子元件，其形成于该第一半导体装置或该第二半导体装置的内部或表面上。

13.一种半导体封装件，其包括：

第一半导体装置，其具有第一顶面与第一底面；

多个导通球，其形成于该第一半导体装置的第一顶面；

半导体元件，其设置于该第一半导体装置的第一顶面；

第二半导体装置，其具有相对的第二顶面与第二底面，且该第二底面面向该第一半导体装置的第一顶面；

多个导电柱，其形成于该第二半导体装置的第二底面，并分别接合该些导通球以电性连接该第一半导体装置及该第二半导体装置，其中，该导电柱为圆柱体且其高度大于直径的二分之一；

保护层，其形成于该半导体元件与该第二半导体装置之间的间隙，并作为保护、散热或电性接地之用；以及

多个支撑元件，其形成于该第一半导体装置与该第二半导体装置之间，并作为支撑、散热或电性接地之用，其中，该些支撑元件与分别接合的该些导通球及该些导电柱皆形成于该第一半导体装置与该第二半导体装置之间。