[发明专利]一种并联电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块有效
| 申请号： | 201410360320.8 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104143547A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 王康平;杨旭;曾翔君;马焕;余小玲;郭义宣 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H02M1/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种并联电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块，包括上桥臂器件、下桥臂器件和母线电容。上桥臂器件和下桥臂器件是LGA封装的GaN器件，母线电容是贴片封装。两个GaN器件并排放置，多个母线电容并联并放置在两个GaN器件中间。上桥臂器件的所有源极引脚和下桥臂器件的所有漏极引脚通过过孔连接到内部导电层上。本发明采用的布局方式，可以有效地减小高频功率回路的面积，从而明显地降低了高频功率回路寄生电感，减小了开关过程中的过电压和振荡。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 并联 电容 中间 布局 寄生 电感 gan 功率 集成 模块 | ||
【主权项】：
一种并联电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块，其特征在于：包括上桥臂器件(1)、下桥臂器件(2)和母线电容(3)，上桥臂器件(1)、下桥臂器件(2)和母线电容(3)设置于基板(7)的同一侧表面，上桥臂器件(1)和下桥臂器件(2)平行并排放置，母线电容(3)安放在上桥臂器件(1)与下桥臂器件(2)中间；上桥臂器件(1)的所有漏极在靠近母线电容(3)侧与母线电容(3)的一个电极相连，下桥臂器件(2)的所有源极在靠近母线电容(3)侧与母线电容(3)的另一个电极相连；上桥臂器件(1)的所有源极通过基板(7)上的过孔与基板(7)内的中间导电层(6)相连，下桥臂器件(2)的所有漏极通过基板(7)上的过孔与所述中间导电层(6)相连。
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