[发明专利]一种并联电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块有效
| 申请号： | 201410360320.8 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104143547A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 王康平;杨旭;曾翔君;马焕;余小玲;郭义宣 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H02M1/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 并联 电容 中间 布局 寄生 电感 gan 功率 集成 模块 | ||
1.一种并联电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块，其特征在于：包括上桥臂器件(1)、下桥臂器件(2)和母线电容(3)，上桥臂器件(1)、下桥臂器件(2)和母线电容(3)设置于基板(7)的同一侧表面，上桥臂器件(1)和下桥臂器件(2)平行并排放置，母线电容(3)安放在上桥臂器件(1)与下桥臂器件(2)中间；上桥臂器件(1)的所有漏极在靠近母线电容(3)侧与母线电容(3)的一个电极相连，下桥臂器件(2)的所有源极在靠近母线电容(3)侧与母线电容(3)的另一个电极相连；上桥臂器件(1)的所有源极通过基板(7)上的过孔与基板(7)内的中间导电层(6)相连，下桥臂器件(2)的所有漏极通过基板(7)上的过孔与所述中间导电层(6)相连。
2.根据权利要求1所述一种并联电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块，其特征在于：所述上桥臂器件(1)和下桥臂器件(2)均为LGA封装的GaN器件。
3.根据权利要求1所述一种并联电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块，其特征在于：所述母线电容(3)由多个贴片电容并联组成。
4.根据权利要求1所述一种并联电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块，其特征在于：所述中间导电层(6)是一个导电平面。
5.根据权利要求1所述一种并联电容中间布局的低寄生电感GaN功率集成模块，其特征是：所述基板(7)为PCB板或LTCC板。
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