[发明专利]一种石墨烯场效应晶体管太赫兹波调制器及其制备方法在审
| 申请号： | 201410359765.4 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104678597A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 文岐业;毛淇;田伟;陈智;杨青慧;张怀武;沈雁飞 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种石墨烯场效应晶体管太赫兹波调制器及其制备方法，用以提高石墨烯场效应晶体管太赫兹波调制器的调制速率、调制深度。石墨烯场效应晶体管太赫兹波调制器，包括半导体衬底、衬底上依次设置的介质层、石墨烯薄膜、源漏电极以及设置于衬底背面的环形栅电极；其特征在于所述介质层为Al2O3层，其厚度为5～100nm；其制备方法采用原子层沉积(ALD)法沉积Al2O3，Al2O3均匀性好、无缺陷、无针孔，更耐电压，且极大降低漏电流。制备得太赫兹波调制器的调制速度达到178KHz，相对调制深度大于22％，显著提高调制速率及相对调制深度；可广泛应用于太赫兹波通信系统、太赫兹波探测、太赫兹波成像等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 场效应 晶体管 赫兹 调制器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯场效应晶体管太赫兹波调制器，包括半导体衬底、衬底上依次设置的介质层、石墨烯薄膜、源漏电极以及设置于衬底背面的环形栅电极；其特征在于所述介质层为Al2O3层，其厚度为5～100nm。
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