[发明专利]一种反极性AlGaInP基发光二极管及其制造方法

摘要

一种反极性AlGaInP基发光二极管及其制造方法，属于光电子技术领域，先制成发光二极管外延片，并在外延片上制作一全反射镜结构层；将具有全反射镜结构层的外延片与永久衬底通过一金属粘结层键合；经去除临时衬底、缓冲层、阻挡层和ｎ型砷化镓层，将第一粗化层表面粗化；在第一粗化层和ｎ型砷化镓欧姆接触层上制作图案化的扩展电极；以掩膜保护已有的图案化扩展电极，将掩膜保护层以外区域的第一粗化层和ｎ型砷化镓欧姆接触层去除，并将第二粗化层粗化；主电极形成于第二粗化层上。本发明利用粗化外延层结构和掩膜保护，提高了电极与外延层的附着性和完整性，确保发光器件工作电压稳定，极大地提升了产品的质量和良率。

主权项

一种反极性AlGaInP基发光二极管，包括设置在Si衬底一面的粘结层，在所述粘结层上依次设置反射镜层、p‑GaP窗口层、p‑AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层和n‑AlGaInP限制层，在Si衬底的另一面设置p电极和n扩展电极，所述n扩展电极与p电极电学连接，在所述n‑AlGaInP限制层上设置n主电极；其特征在于在所述n‑AlGaInP限制层上还图形化地设置ｎ型砷化镓欧姆接触层，在所述ｎ型砷化镓欧姆接触层上通过第一粗化n‑AlGaInP层设置n扩展电极。