[发明专利]一种反极性AlGaInP基发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种反极性AlGaInP基发光二极管，包括设置在Si衬底一面的粘结层，在所述粘结层上依次设置反射镜层、p-GaP窗口层、p-AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层和n-AlGaInP限制层，在Si衬底的另一面设置p电极和n扩展电极，所述n扩展电极与p电极电学连接，在所述n-AlGaInP限制层上设置n主电极；其特征在于在所述n-AlGaInP限制层上还图形化地设置ｎ型砷化镓欧姆接触层，在所述ｎ型砷化镓欧姆接触层上通过第一粗化n-AlGaInP层设置n扩展电极。

2.一种如权利要求1所述反极性AlGaInP基发光二极管的制造方法，其特征在于包括以下步骤：

1）制备发光二极管外延片：在临时衬底的一侧面依次外延缓冲层、阻挡层、ｎ型砷化镓层、第一可粗化n-AlGaInP层、ｎ型砷化镓欧姆接触层、第二可粗化n-AlGaInP层、ｎ型铝镓铟磷限制层、有源层、ｐ型铝镓铟磷限制层和ｐ型导电窗口层；

2）在发光二极管外延片的ｐ型导电窗口层上制作全反射镜结构层；

3）将具有全反射镜结构层的发光二极管外延片与永久衬底通过一金属粘结层键合；

4）去除临时衬底、缓冲层、阻挡层和ｎ型砷化镓层；

5）在外延层上制作扩展电极：先采用湿法蚀刻将第一可粗化n-AlGaInP层的表面进行粗化处理；再在粗化的第一可粗化n-AlGaInP层的表面和ｎ型砷化镓欧姆接触层上制作图案化的n扩展电极；在图案化的n扩展电极外制作掩膜保护层；将掩膜保护层以外区域的第一可粗化n-AlGaInP层和ｎ型砷化镓欧姆接触层去除；最后再对裸露的第二可粗化n-AlGaInP层表面进行粗化；

6）在粗化的第二可粗化n-AlGaInP层表面制作n主电极，并在n主电极与n扩展电极之间制作电学连接；

7）在永久衬底背面制作P电极。

3.根据权利要求2所述反极性AlGaInP基发光二极管的制造方法，其特征在于：采用H₃PO₄、HCL、HBr、HF、H₂O₂或I₂中的至少任意一种与水形成溶液，对所述第一可粗化n-AlGaInP层进行粗化处理。

4.根据权利要求2所述反极性AlGaInP基发光二极管的制造方法，其特征在于：采用H₃PO₄、HCL、HBr、HF、H₂O₂或I₂中的至少任意一种与水形成溶液，对所述第二可粗化n-AlGaInP层进行粗化处理。

5.根据权利要求2所述反极性AlGaInP基发光二极管的制造方法，其特征在于：所述n扩展电极的材料为Ge、Au或Ni中的至少任意一种。

6.根据权利要求5所述反极性AlGaInP基发光二极管的制造方法，其特征在于：所述n扩展电极202材料为AuGeNi/Au，厚度为100/200nm。

7.根据权利要求2所述反极性AlGaInP基发光二极管的制造方法，其特征在于：所述掩膜保护层的尺寸大于图案化的n扩展电极的尺寸。