[发明专利]互连结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201410353723.X | 申请日： | 2014-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN105336725A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种互连结构及其形成方法，互连结构的形成方法包括：提供衬底；采用气化的环硅氧烷作为反应气体，在所述衬底上沉积形成具有多个相互独立孔隙的介质层；在所述介质层中形成导电插塞。本发明还提供一种互连结构，包括：衬底；位于所述衬底上的介质层，所述介质层为含碳氧化硅层，所述含碳氧化硅层中具有多个相互独立的孔隙；位于所述介质层中的导电插塞本发明的有益效果在于：可以形成具有独立孔隙的介质层，这种介质层不仅具有较低的k值，且机械强度也较高，进而提升互连结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；采用气化的环硅氧烷作为反应气体，在所述衬底上沉积形成具有多个相互独立孔隙的介质层；在所述介质层中形成导电插塞。
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