[发明专利]互连结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201410353723.X | 申请日： | 2014-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN105336725A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
采用气化的环硅氧烷作为反应气体，在所述衬底上沉积形成具有多个相互独立孔隙的介质层；
在所述介质层中形成导电插塞。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述介质层的步骤包括：采用等离子沉积的方式形成所述介质层。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述环硅氧烷的反应气体包括八甲基环四硅氧烷气体、十甲基环五硅氧烷气体、十二甲基环六硅氧烷气体和十四甲基环七硅氧烷气体的一种或多种。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述介质层的步骤中，所述反应气体还包括臭氧、氧气、二氧化碳或者一氧化碳。
5.如权利要求1或4所述的形成方法，其特征在于，形成所述介质层的步骤包括：在沉积时通入氦气作为载气。
6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述反应气体和载气的总流量在140～180标况毫升每分钟的范围内。
7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述介质层的步骤包括：环硅氧烷的通入量在2500～3500毫克/分钟的范围内。
8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述介质层的步骤包括：形成k值在2.6～3.0范围内的介质层。
9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述介质层的步骤包括：使形成的介质层中孔隙的平均直径在7～9埃的范围内。
10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述介质层的步骤之后，形成所述导电插塞之前，所述形成方法还包括：对所述具有多个空隙的介质层进行固化处理。
11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，固化处理包括：采用紫外光照射所述介质层。
12.一种互连结构，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的介质层，所述介质层为含碳氧化硅层，所述含碳氧化硅层中具有多个相互独立的孔隙；
位于所述介质层中的导电插塞。
13.如权利要求12所述的互连结构，其特征在于，所述介质层中孔隙的平均直径在7～9埃的范围内。
14.如权利要求12所述的互连结构，其特征在于，所述介质层的k值在2.6～3.0的范围内。
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