[发明专利]光电阴极制备工艺

摘要

本发明公开了一种光电阴极制备工艺，包括对P型GaN材料进行高温Cs/O循环激活和低温Cs激活，高温Cs/O循环激活步骤之前还包括化学清洗、高温加热净化，高温Cs/O循环激活和低温Cs激活之间还包括低温加热净化，低温Cs激活步骤之后还包括低温Cs/O循环激活；化学清洗包括将样品进行超声波清洗；高温加热净化包括顺序进行的升温步骤、保温步骤和降温步骤；低温加热净化包括低温升温步骤、低温保温步骤和低温降温步骤。本工艺激活程度高，利于产品的产品性能。

主权项

光电阴极制备工艺，包括对P型GaN材料顺序进行的高温Cs/O循环激活和低温Cs激活，其特征在于，所述高温Cs/O循环激活步骤之前还包括顺序进行的化学清洗、高温加热净化，高温Cs/O循环激活和低温Cs激活步骤之间还包括低温加热净化，低温Cs激活步骤之后还包括低温Cs/O循环激活步骤；所述化学清洗包括将样品采用四氯化碳、丙酮、无水乙醇、去离子水按先后顺序进行超声波清洗，且清洗时间均在4‑5min范围内；所述高温加热净化包括顺序进行的升温步骤、保温步骤和降温步骤，所述升温步骤的温度上限不小于680℃，且升温时间不小于150min，保温步骤的持续时间不少于20min，降温步骤的持续时间不少于100min；所述低温加热净化包括顺序进行的低温升温步骤、低温保温步骤和低温降温步骤，所述低温升温步骤的温度上限不小于630℃，且低温升温时间不小于40min，低温保温步骤的持续时间不少于20min，低温降温步骤的持续时间不少于80min。