[发明专利]光电阴极制备工艺

权利要求书

1.光电阴极制备工艺，包括对P型GaN材料顺序进行的高温Cs/O循环激活和低温Cs激活，其特征在于，所述高温Cs/O循环激活步骤之前还包括顺序进行的化学清洗、高温加热净化，高温Cs/O循环激活和低温Cs激活步骤之间还包括低温加热净化，低温Cs激活步骤之后还包括低温Cs/O循环激活步骤；

所述化学清洗包括将样品采用四氯化碳、丙酮、无水乙醇、去离子水按先后顺序进行超声波清洗，且清洗时间均在4-5min范围内；

所述高温加热净化包括顺序进行的升温步骤、保温步骤和降温步骤，所述升温步骤的温度上限不小于680℃，且升温时间不小于150min，保温步骤的持续时间不少于20min，降温步骤的持续时间不少于100min；

所述低温加热净化包括顺序进行的低温升温步骤、低温保温步骤和低温降温步骤，所述低温升温步骤的温度上限不小于630℃，且低温升温时间不小于40min，低温保温步骤的持续时间不少于20min，低温降温步骤的持续时间不少于80min。

2.根据权利要求1所述的光电阴极制备工艺，其特征在于，所述化学清洗还包括设置在超声波清洗后续的刻蚀步骤，所述刻蚀步骤采用浓硫酸、双氧水、去离子水按照2:2:1配比的混合液进行化学刻蚀。

3.根据权利要求2所述的光电阴极制备工艺，其特征在于，所述刻蚀时间在8min-10min范围内，刻蚀温度在25℃-32℃之间。

4.根据权利要求2所述的光电阴极制备工艺，其特征在于，所述化学刻蚀步骤之后还包括清洗步骤，所述清洗步骤为采用去离子水对样品进行不少于2min的超声波清洗。