[发明专利]金属栅极结构的制作方法有效

专利信息
申请号: 201410351939.2 申请日: 2014-07-23
公开(公告)号: CN105280486B 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 林静龄;黄志森;邹世芳;林建廷;陈意维;林世雄;陈俊隆;廖琨垣;张峰溢;周孝邦;吕佳霖 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28;H01L29/423
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台湾*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一种金属栅极结构的制作方法,包括首先提供基底,基底上设置有介电层,第一沟槽和第二沟槽设置介电层中,第一金属层和第二金属层分别填满第一沟槽和第二沟槽,其中该第一沟槽的宽度小于该第二沟槽的宽度。之后,形成掩模层,以完全覆盖第二沟槽。在掩模层的覆盖下,进行第一蚀刻制作工艺以去除部分第一金属层。最后进行第二蚀刻制作工艺,以同时去除部分第一金属层和部分第二金属层。
搜索关键词: 金属 栅极 结构 制作方法
【主权项】:
一种金属栅极结构的制作方法,包括:提供一基底,其上设置有一介电层,一第一沟槽设置于该介电层中,一第一金属层填满该第一沟槽,一第二沟槽设置于该介电层中,一第二金属层填满该第二沟槽,其中该第一沟槽的宽度小于该第二沟槽的宽度;形成一掩模层,完全覆盖住该第二沟槽;在该掩模层的覆盖下,进行一第一蚀刻制作工艺,以去除部分该第一金属层;以及在该第一蚀刻制作工艺之后,进行一第二蚀刻制作工艺,以同时去除部分该第一金属层和部分该第二金属层。
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