[发明专利]金属栅极结构的制作方法

权利要求书

1.一种金属栅极结构的制作方法，包括：

提供一基底，其上设置有一介电层，一第一沟槽设置于该介电层中，一第一金属层填满该第一沟槽，一第二沟槽设置于该介电层中，一第二金属层填满该第二沟槽，其中该第一沟槽的宽度小于该第二沟槽的宽度；

形成一介电薄膜，覆盖住该第一沟槽和该第二沟槽；

形成一掩模层，完全覆盖住该第二沟槽；

于该介电薄膜和该第一金属层的界面形成一金属化合物；

在该掩模层的覆盖下，进行一第一蚀刻制作工艺，以去除部分该第一金属层；以及

在该第一蚀刻制作工艺之后，进行一第二蚀刻制作工艺，以同时去除部分该第一金属层和部分该第二金属层。

2.如权利要求1所述的金属栅极结构的制作方法，其中该第一沟槽的宽度至少是该第二沟槽的宽度的三分之一以下。

3.如权利要求1所述的金属栅极结构的制作方法，其中该金属化合物为金属氧化物或是金属氮化物，且该金属化合物内的金属成分相同于该第一金属层内的至少一金属成分。

4.如权利要求1所述的金属栅极结构的制作方法，其中该金属化合物为氧化钨、氮化钨、氧化铝或是氮化铝。

5.如权利要求1所述的金属栅极结构的制作方法，其中，在静电场强度下，该介电薄膜和该第一金属层的界面形成该金属化合物。

6.如权利要求1所述的金属栅极结构的制作方法，其中在该第一蚀刻制作工艺中，该金属化合物会被完全去除。

7.如权利要求1所述的金属栅极结构的制作方法，其中在形成该金属化合物时，还包括同时于该介电薄膜和该第二金属层的界面形成另一金属化合物。

8.如权利要求7所述的金属栅极结构的制作方法，其中在该第二蚀刻制作工艺中，该另一金属化合物会被完全去除。

9.如权利要求1所述的金属栅极结构的制作方法，其中在进行该第二蚀刻制作工艺之前，还包括移除该掩模层。

10.如权利要求1所述的金属栅极结构的制作方法，其中当完成该第二蚀刻制作工艺时，该第一金属层的高度会小于或等于该第二金属层的高度。

11.如权利要求1所述的金属栅极结构的制作方法，其中在该第二蚀刻制作工艺之后，还包括形成一介电盖层，以覆盖住该第一金属层和该第二金属层，其中该介电盖层直接接触该第一金属层和该第二金属层。

12.如权利要求11所述的金属栅极结构的制作方法，还包括同时于该介电盖层和该第一金属层以及该第二金属层间的界面形成又一金属化合物。

13.如权利要求12所述的金属栅极结构的制作方法，其中该又一金属化合物为金属氧化物或是金属氮化物。

14.如权利要求12所述的金属栅极结构的制作方法，其中该又一金属化合物为氧化钨、氮化钨、氧化铝或是氮化铝。

15.如权利要求12所述的金属栅极结构的制作方法，其中，在静电场强度下，该介电盖层和该第一金属层以及该第二金属层间的界面形成该又一金属化合物。

16.如权利要求11所述的金属栅极结构的制作方法，其中该介电盖层会填满该第一沟槽和该第二沟槽。

17.如权利要求1所述的金属栅极结构的制作方法，其中该第一沟槽内还具有一第一栅极介电层以及一第一栅极材料层，该第一栅极介电层、该第一栅极材料层以及该第一金属层依序设置于该第一沟槽中。