[发明专利]一种上部电极及其制造方法和干法刻蚀设备在审
| 申请号： | 201410350543.6 | 申请日： | 2014-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104157681A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 赵吾阳;刘学光;倪水滨 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种上部电极及其制造方法和干法刻蚀设备。所述上部电极包括上部电极主体，其上设置有电极气体流出孔。所述上部电极主体的表面覆盖有离子晶体层，离子晶体层的表面覆盖有原子晶体层。所述方法包括在上部电极主体上设置电极气体流出孔，在上部电极主体的表面形成离子晶体层，在离子晶体层的表面形成原子晶体层。本发明提供的上部电极的表面氧化膜为原子晶体，由于原子晶体的化学性质稳定、耐高温而且莫氏硬度大，使得上部电极能够有效避免反应生成物的粘附以及电极气体流出孔的腐蚀，从而延长上部电极的使用寿命，同时避免发生工艺不良的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 上部 电极 及其 制造 方法 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
一种上部电极，其特征在于，包括上部电极主体，所述上部电极主体上设置有电极气体流出孔，所述上部电极主体的表面覆盖有离子晶体层，所述离子晶体层的表面覆盖有原子晶体层。
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