[发明专利]一种上部电极及其制造方法和干法刻蚀设备在审
| 申请号： | 201410350543.6 | 申请日： | 2014-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN104157681A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 赵吾阳;刘学光;倪水滨 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 上部 电极 及其 制造 方法 刻蚀 设备 | ||
1.一种上部电极，其特征在于，包括上部电极主体，所述上部电极主体上设置有电极气体流出孔，所述上部电极主体的表面覆盖有离子晶体层，所述离子晶体层的表面覆盖有原子晶体层。
2.根据权利要求1所述的上部电极，其特征在于，所述原子晶体层为阿尔法型氧化铝层。
3.根据权利要求1或2所述的上部电极，其特征在于，所述离子晶体层的厚度为30-50μm。
4.根据权利要求1或2所述的上部电极，其特征在于，所述原子晶体层的厚度为30-40μm。
5.一种干法刻蚀设备，其特征在于，包括权利要求1-4任一所述的上部电极。
6.一种上部电极的制造方法，其特征在于，包括：
在上部电极主体上设置电极气体流出孔；
在上部电极主体的表面形成离子晶体层；
在离子晶体层的表面形成原子晶体层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在上部电极主体的表面形成离子晶体层的步骤包括：
通过阳极氧化工艺在所述上部电极主体的表面形成所述离子晶体层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述通过阳极氧化工艺在所述上部电极主体的表面形成所述离子晶体层的步骤包括：
利用酸液在所述上部电极主体的表面进行阳极氧化工艺，以形成所述离子晶体层。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在离子晶体层的表面形成原子晶体层的步骤包括：
通过溅射工艺在所述离子晶体层的表面形成所述原子晶体层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述通过溅射工艺在离子晶体层的表面形成原子晶体层的步骤包括：
对所述离子晶体层的表面进行溅射；
对所述电极气体流出孔进行溅射，以形成所述原子晶体层。
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