[发明专利]光掩膜版、半导体器件的制作方法、半导体器件及存储芯片

摘要

本申请公开了一种光掩膜版、半导体器件的制作方法、半导体器件及存储芯片。该光掩膜版，包括光图形区以及光阻挡区，其中光图形区包括至少一个源线图形单元和至少一个漏极接触孔图形单元。采用该光掩膜版进行光刻的过程中，光能够穿过源线图形单元和漏极接触孔图形单元照射在光刻胶上并使得光刻胶发生感光，再采用腐蚀液去除感光的光刻胶以形成源线和漏极接触端的图形，从而减少了光刻的次数，进而简化了半导体器件的制作工艺流程，并降低半导体器件的制作成本。

主权项

1.一种光掩膜版，包括光图形区以及光阻挡区，其特征在于，所述光图形区包括至少一个源线图形单元和至少两个漏极接触孔图形单元；所述光阻挡区包括至少一个光阻挡单元，其中，所述光阻挡单元与所述漏极接触孔图形单元沿平行于所述源线图形单元延伸的方向交替设置在所述源线图形单元的一侧或两侧；所述漏极接触孔图形单元与所述源线图形单元形成交叉结构。