[发明专利]光掩膜版、半导体器件的制作方法、半导体器件及存储芯片

说明书

本申请公开了一种光掩膜版、半导体器件的制作方法、半导体器件及存储芯片。该光掩膜版，包括光图形区以及光阻挡区，其中光图形区包括至少一个源线图形单元和至少一个漏极接触孔图形单元。采用该光掩膜版进行光刻的过程中，光能够穿过源线图形单元和漏极接触孔图形单元照射在光刻胶上并使得光刻胶发生感光，再采用腐蚀液去除感光的光刻胶以形成源线和漏极接触端的图形，从而减少了光刻的次数，进而简化了半导体器件的制作工艺流程，并降低半导体器件的制作成本。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路的制作工艺，尤其涉及一种光掩膜版、半导体器件的制作方法、半导体器件及存储芯片。

背景技术

在半导体器件的制作过程中，需要形成与晶体管的源极相连的源线以及与晶体管的漏极相连的漏极接触端，以使晶体管和外围电路之间形成电连接。例如在存储器的制作中，通常将衬底分为核心存储区和外围器件区，然后在核心存储区上形成晶体管，以及与晶体管相连的源线和漏极接触端。

目前，制作包括源线和漏极接触端的半导体器件的步骤包括：首先，在衬底上形成栅极；然后，通过光刻定义源线的图形，并按照源线的图形对衬底进行离子注入以形成源线；接下来，通过在栅极的两侧侧壁上形成侧壁层，并对栅极两侧的衬底进行离子注入以形成源极和漏极，以及在源极和漏极的上方形成金属硅化物层的步骤以形成晶体管；接下来，在晶体管依次沉积形成刻蚀阻挡层和层间介质层(ILD)；接下来，通过光刻定义漏极接触端的图形，并按照漏极接触端的图形刻蚀层间介质层和刻蚀阻挡层以形成漏极接触孔；最后，在漏极接触孔上沉积金属层，并对金属层进行平坦化以形成漏极接触端。

图1示出了上述源线的制作过程中所采用的光掩膜版的结构示意图，图2示出了上述漏极接触端的制作过程中所采用的光掩膜版的结构示意图。如图1和图2所示，光掩膜版包括光图形区10′以及光阻挡区20′，且光图形区10′具有源线或漏极接触端的图形。在光刻的过程中，光能够穿过光图形区10′照射在光刻胶上并使得光刻胶发生感光，再采用腐蚀液去除感光的光刻胶以形成源线或漏极接触端的图形。

由于光刻工艺所采用的设备以及光掩膜版的价格昂贵，使得光刻工艺的成本非常高。在半导体器件的制作过程中，源线和漏极接触端的制作是通过两次光刻完成的，两者的形成各需要一个光掩膜版。因此，现有半导体器件的制作工艺比较繁琐，制作成本较高。

发明内容

本申请旨在提供一种光掩膜版、半导体器件的制作方法、半导体器件及存储芯片，以简化半导体器件的制作工艺流程，并降低其制作成本。

为了解决上述问题，本申请提供了一种光掩膜版，包括光图形区以及光阻挡区，其中光图形区包括至少一个源线图形单元和至少一个漏极接触孔图形单元。

进一步地，上述光掩膜版中，光图形区包括至少一个源线图形单元和至少两个漏极接触孔图形单元；光阻挡区包括至少一个光阻挡单元，其中，光阻挡单元与漏极接触孔图形单元沿平行于源线图形单元延伸的方向交替设置在源线图形单元的一侧或两侧。

进一步地，上述光掩膜版中，漏极接触孔图形单元与源线图形单元形成交叉结构。

进一步地，上述光掩膜版中，漏极接触孔图形单元与源线图形单元形成正交结构。

进一步地，上述光掩膜版中，当漏极接触孔图形单元设置在源线图形单元的两侧时，漏极接触孔图形单元对称地设置在源线图形单元两侧。

进一步地，上述光掩膜版中，当光阻挡区包括多个光阻挡单元时，各光阻挡单元的图形可以相同也可以不同。

本申请还提供了一种半导体器件的制作方法，该制作方法包括以下步骤：在衬底上形成晶体管；形成覆盖晶体管的介质层；采用本申请提供的光掩膜版对介质层进行光刻及刻蚀，以在晶体管的两侧形成凹槽；在凹槽中形成金属层，以形成源线和漏极接触端。