[发明专利]易制备的可用做微电子材料的吡唑基Ge(Ⅱ)化合物有效
| 申请号： | 201410343236.5 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN104086589B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 丁玉强;王权;张秀梅;王大伟;苗红艳 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | C07F7/30 | 分类号： | C07F7/30;C23C16/18 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良,刘海 |
| 地址： | 214122 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种易制备的可用做微电子材料的吡唑基Ge（Ⅱ）化合物，采用以下方法制备（1）将吡唑或其衍生物溶解在反应溶剂中，在‑78～0℃搅拌条件下加入烷基锂溶液中，吡唑或其衍生物与烷基锂的摩尔比为11～1.2；恢复到室温后继续搅拌反应，得到反应混合物；（2）将步骤（1）得到的反应混合物过滤，得到锂盐固体，将锂盐固体与甲苯混合，得到锂盐的甲苯溶液；（3）在‑78～0℃按照锂盐与二氯化锗摩尔比21～1.1，将锂盐的甲苯溶液滴加到二氯化锗的甲苯溶液中，升温至室温；（4）将步骤（3）得到的反应混合物进行过滤，所得滤渣进行低温结晶，得到所述的吡唑基Ge（Ⅱ）化合物。本发明合成方法简便、合成条件温和，具有良好的成膜性能。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 用做 微电子 材料 吡唑 ge 化合物 | ||
【主权项】：
一种具有通式(Ⅰ)的吡唑基Ge(Ⅱ)化合物：其中，R1、R2、R3选自氢原子、C1～C6烷基。
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